|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Е. В. Гущина, Б. Р. Бородин, В. А. Шаров, В. В. Осипов, С. И. Павлов, М. А. Яговкина, М. С. Дунаевский, “Исследования проводящих и сегнетоэлектрических свойств BZT-пленок”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2159–2164   ; E. V. Gushchina, B. R. Borodin, V. A. Sharov, V. V. Osipov, S. I. Pavlov, M. A. Yagovkina, M. S. Dunaevskii, “An investigation of the conductive and ferroelectric properties of BZT films”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2066–2071 |
|
2019 |
| 2. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, С. Д. Коненков, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии”, ЖТФ, 89:4 (2019), 574–577 ; V. N. Bessolov, E. V. Gushchina, E. V. Konenkova, S. D. Konenkov, T. V. L'vova, V. N. Panteleev, M. P. Scheglov, “Synthesis of hexagonal AlN и GaN layers on a Si(100) substrate by chloride vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys., 64:4 (2019), 531–534 |
3
|
|
2018 |
| 3. |
Л. А. Делимова, Е. В. Гущина, Н. В. Зайцева, Д. С. Серегин, К. А. Воротилов, А. С. Сигов, “Влияние кристаллической структуры на электрические свойства тонкопленочных PZT структур”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 547–552 ; L. A. Delimova, E. V. Gushchina, N. V. Zaitseva, D. S. Seregin, K. A. Vorotilov, A. S. Sigov, “Effect of the crystal structure on the electrical properties of thin-film PZT structures”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 553–558 |
5
|
| 4. |
M. N. Nikolaeva, A. N. Bugrov, T. D. Anan'eva, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, A. T. Dideikin, “Resistance of reduced graphene oxide on polystyrene surface”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:4 (2018), 496–499  |
1
|
| 5. |
S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, S. N. Novikov, Yu. N. Makarov, “Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018), 95–97 |
2
|
| 6. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
| 7. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:2 (2018), 96–103 ; V. N. Bessolov, E. V. Gushchina, E. V. Konenkova, T. V. L'vova, V. N. Panteleev, M. P. Scheglov, “Hexagonal AlN layers grown on sulfided Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 81–83 |
6
|
|
2017 |
| 8. |
Н. В. Глебова, А. О. Краснова, А. А. Томасов, Н. К. Зеленина, Е. В. Гущина, М. С. Дунаевский, А. А. Нечитайлов, “Структура платиноуглеродных электродов, содержащих различные формы протонпроводящего полимера Nafion”, ЖТФ, 87:11 (2017), 1696–1700 ; N. V. Glebova, A. O. Krasnova, А. А. Tomasov, N. K. Zelenina, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, A. A. Nechitailov, “Structure of platinum–carbon electrodes containing various forms of nafion proton-conducting polymer”, Tech. Phys., 62:11 (2017), 1698–1702 |
1
|
| 9. |
M. N. Nikolaeva, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, A. T. Dideikin, A. N. Bugrov, T. D. Anan'eva, “The influence of substrate material on the resistance of composite films based on reduced graphene oxide and polystyrene”, Наносистемы: физика, химия, математика, 8:5 (2017), 665–669 |
2
|
|
Обратная связь: