|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, Н. Р. Юнусова, “Определение длины диффузии неравновесных носителей в гетероструктурах CdS/ZnSe/ZnSSe, предназначенных для полупроводниковых дисковых лазеров”, Квантовая электроника, 54:2 (2024), 89–94  [M. R. Butaev, V. I. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, N. R. Yunusova, “Determination of the diffusion length of nonequilibrium carriers in CdS/ZnSe/ZnSSe heterostructures designed for semiconductor disk lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 5 (2024), S381–S388] |
|
2022 |
| 2. |
М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк, “Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al<sub>x</sub>Ga<sub>1– x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1– y</sub>As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 362–366 [M. R. Butaev, Ya. K. Skasyrsky, V. I. Kozlovsky, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Marmalyuk, “Semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a MOCVD-grown Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1–y</sub>As heterostructure with optical and electron beam pumping”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 362–366  ] |
1
|
| 3. |
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 359–361 [M. R. Butaev, V. I. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, “Semiconductor laser based on a CdS/ZnSe heterostructure with longitudinal optical pumping by a laser diode”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 359–361 ] |
4
|
|
2020 |
| 4. |
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Наносекундный полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 496.5 нм”, Квантовая электроника, 50:10 (2020), 895–899  [M. R. Butaev, V. I. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, “Nanosecond semiconductor disk laser emitting at 496.5 nm”, Quantum Electron., 50:10 (2020), 895–899  ] |
5
|
| 5. |
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа”, Квантовая электроника, 50:7 (2020), 683–687 [M. R. Butaev, V. I. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, “Optically pumped semiconductor laser based on a type-II CdS/ZnSe heterostructure”, Quantum Electron., 50:7 (2020), 683–687 ] |
8
|
|
2019 |
| 6. |
А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, М. Р. Бутаев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, И. В. Яроцкая, “Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 909–912 [A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, M. R. Butaev, N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, V. I. Kozlovsky, Ya. K. Skasyrsky, I. V. Yarotskaya, “Investigation of an electron-beam pumped VECSEL based on an InGaAs/AlGaAs heterostructure”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 909–912 ] |
1
|
|
Обратная связь: