|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Abduljabbar Riyad Khuder, Д. Л. Голощапов, М. А. Хараджиди, И. Н. Арсентьев, И. А. Касаткин, “Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1021–1026   |
| 2. |
П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 704–710 ; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001 |
| 3. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, H. Leiste, “Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 86–95 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, H. Leiste, “Structural and spectroscopic studies of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructure layer and protoporous silicon”, Semiconductors, 55:1 (2021), 122–131 |
1
|
| 4. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, “Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 34–40 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, “Spectroscopic studies of integrated GaAs/Si heterostructures”, Semiconductors, 55:1 (2021), 44–50 |
3
|
|
2020 |
| 5. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин, “Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 491–503 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 |
3
|
| 6. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин, “Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 346–354 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 |
2
|
|
2019 |
| 7. |
П. В. Середин, А. В. Федюкин, В. А. Терехов, К. А. Барков, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Е. В. Фомин, Н. А. Пихтин, “Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1584–1592 ; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, V. A. Terekhov, K. A. Barkov, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, E. V. Fomin, N. A. Pikhtin, “On the phase composition, morphology, and optical and electronic characteristics of AlN nanofilms grown on misoriented GaAs (100) substrates”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1550–1557 |
1
|
| 8. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1141–1151 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and morphological properties of hybrid heterostructures based on gan grown on a compliant por-Si(111) substrate”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1120–1130 |
| 9. |
Б. В. Сладкопевцев, Г. И. Котов, И. Н. Арсентьев, И. С. Шашкин, И. Я. Миттова, Е. В. Томина, А. А. Самсонов, П. В. Костенко, “Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO$_{2}$/GaAs(100) и V$_{2}$O$_{5}$/GaAs(100), прошедших термическую обработку”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1074–1079 ; B. V. Sladkopevtsev, G. I. Kotov, I. N. Arsent'ev, I. S. Shashkin, I. Ya. Mittova, E. V. Tomina, A. A. Samsonov, P. V. Kostenko, “Investigation of the current–voltage characteristics of new MnO$_{2}$/GaAs(100) and V$_{2}$O$_{5}$/GaAs(100) heterostructures subjected to heat treatment”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1054–1059 |
| 10. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, “Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1010–1016 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. S. Zolotukhin, D. L. Goloshchapov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, “Comprehensive study of the nanoporous si layer influence on atomic and electron structure and optical properties of A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999 |
2
|
| 11. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 70–76 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of a por-Si buffer layer on the optical properties of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures with a nanocolumnar film morphology”, Semiconductors, 53:1 (2019), 65–71 |
| 12. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке, “Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 545–551 [P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, H. Leiste, M. Rinke, “Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 545–551   ] |
2
|
|
2018 |
| 13. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke, “Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1553–1562 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 |
2
|
| 14. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, “Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1041–1048 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, “Effect of conditions of electrochemical etching on the morphological, structural, and optical properties of porous gallium arsenide”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1163–1170 |
1
|
| 15. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, “Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 881–890 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, “Effect of misorientation and preliminary etching of the substrate on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si(100) heterostructures produced by vapor phase epitaxy”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1012–1021 |
3
|
| 16. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 118–124 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of substrate misorientation on the composition and the structural and photoluminescence properties of epitaxial layers grown on GaAs(100)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 112–117 |
5
|
|
2017 |
| 17. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1160–1167 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P on their optical properties”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1111–1118 |
1
|
| 18. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Д. Н. Николаев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1131–1137 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, D. N. Nikolaev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P alloys on their structural and morphological properties”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1087–1092 |
1
|
| 19. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130 |
|
2016 |
| 20. |
П. В. Середин, Д. А. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Я. В. Лубянский, И. С. Тарасов, “Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1283–1294 ; P. V. Seredin, D. A. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, Ya. V. Lubyanskiy, I. S. Tarasov, “Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1261–1272 |
| 21. |
П. В. Середин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 869–876 ; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 853–859 |
|
1989 |
| 22. |
И. Н. Арсентьев, Г. Р. Бежанишвили, П. П. Буинов, Л. С. Вавилова, Н. А. Стругов, В. П. Чалый, А. П. Шкурко, “Спектральные характеристики
InGAAsP/GaAs $\langle111\rangle$
ЖФЭ-лазеров ($\lambda=0.8$ мкм), предназначенных
для накачки YAG : Nd$^{3+}$”, Письма в ЖТФ, 15:15 (1989), 45–49 |
|
1988 |
| 23. |
Ж. И. Алфрове, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, “Квантово-размерные
InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения
(${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1031–1034 |
| 24. |
Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, А. Б. Комиссаров, А. В. Кочергин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, “Мощный непрерывный
InGaAsP/GaAs гетеролазер
с диэлектрическим зеркалом
($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%,
$T=10^{\circ}$С)”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 699–702 |
| 25. |
И. Н. Арсентьев, Н. А. Берт, А. В. Васильев, Д. З. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, А. В. Кочергин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Многослойные периодические структуры в системе
Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 14:7 (1988), 593–597 |
|
1987 |
| 26. |
Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Низкопороговые квантово-размерные
InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии
(${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$,
${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$,
${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1501–1503 |
| 27. |
И. Н. Арсентьев, Н. Ю. Антонишкис, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. Б. Комиссаров, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные эффекты в жидкофазных
InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40
до 300 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 178–181 |
| 28. |
Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные
InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии
(${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$,
${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 162–164 |
| 29. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, Е. И. Чудинова, “Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии
($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987), 372–374 |
|
1986 |
| 30. |
Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Фотолюминесценция
InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом
жидкостной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2145–2149 |
| 31. |
Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, В. В. Красовский, А. Е. Свелокузов, А. В. Чудинов, “Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации
в гетероструктурах в системах
Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 708–712 |
|
1985 |
| 32. |
Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. П. Чалый, “0.677 мкм — непрерывный инжекционный РО
InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1115–1118 |
| 33. |
Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, Л. С. Вавилова, В. В. Красовский, А. В. Чудинов, “Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных
InGaAsP-гетероструктур с активными областями
${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$ см”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1108–1114 |
| 34. |
Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили, “Непрерывный
РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт
(${T=300}$ K, ${\lambda=0.87}$ мкм)”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 136–138 |
| 35. |
Ж. И. Алфёров, Л. С. Вавилова, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, “Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985), 1153–1157 |
| 36. |
Ж. И. Алферов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили, “Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 205–209 |
|
1984 |
| 37. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, О. В. Сулима, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом
$300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы,
${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2057–2060 |
| 38. |
Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, В. П. Евтихиев, В. Б. Халфин, “Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС
с тонкой активной областью
(${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом
жидкостной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2041–2045 |
| 39. |
Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Низкопороговые инжекционные
InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом
жидкостной эпитаксии
(${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$,
${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1655–1659 |
| 40. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Р. С. Игнаткина, “Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм,
${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 757–758 |
| 41. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, “Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные
InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область
0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 162–165 |
|
1983 |
| 42. |
И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, “Температурная зависимость порога генерации
в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах
(${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K,
${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 843–846 |
| 43. |
А. В. Чудинов, В. П. Чалый, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Евтихиев, “Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных
носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 714–717 |
| 44. |
Д. З. Гарбузов, В. Б. Халфин, Э. В. Тулашвили, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, “Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении
широкозонного эмиттера”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 242–246 |
|
Обратная связь: