|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
Р. А. Кастро, А. В. Ильинский, Л. М. Смирнова, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Эллипсометрия нанокристаллических пленок VO$_2$, VO$_2$ : Mg, VO$_2$ : Ge”, Физика твердого тела, 63:12 (2021), 2210–2216 |
2
|
2. |
А. В. Ильинский, Р. А. Кастро, М. Э. Пашкевич, И. О. Попова, А. И. Сидоров, Е. Б. Шадрин, “Импедансметрия нанокристаллитов Ag$_{2}$S, внедренных в нанопористые стекла”, Физика твердого тела, 63:12 (2021), 2185–2191 |
3. |
Р. А. Кастро, А. В. Ильинский, М. Э. Пашкевич, А. И. Сидоров, Е. Б. Шадрин, “Термоимпендансметрия нанокристаллитов V$_{2}$O$_{5}$, локализованных в каналах нанопористого стекла”, Физика твердого тела, 63:9 (2021), 1429–1436 ; R. A. Castro, A. V. Ilinskiy, M. È. Pashkevich, A. I. Sidorov, E. B. Shadrin, “Thermal impedance spectroscopy of V$_{2}$O$_{5}$ nanocrystallites localized in the channels of nanoporous glass”, Phys. Solid State, 63:9 (2021), 1403–1409 |
1
|
4. |
А. В. Ильинский, Е. И. Никулин, Е. Б. Шадрин, “Механизм влияния водорода на фазовый переход в пленках V$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:5 (2021), 666–673 ; A. V. Ilinskiy, E. I. Nikukin, E. B. Shadrin, “Mechanism of hydrogen effect on the phase transition in V$_{2}$O$_{3}$ films”, Phys. Solid State, 63:5 (2021), 714–721 |
5. |
Y. Katsnelson, А. В. Ильинский, Е. Б. Шадрин, “Активация нейромедиаторов мозга животных интерференционными транскраниальными токами”, ЖТФ, 91:12 (2021), 2067–2079 |
|
2020 |
6. |
А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, М. Э. Пашкевич, И. О. Попова, Е. Б. Шадрин, “Фазовый переход полупроводник–суперионик в пленках сульфида серебра”, Физика твердого тела, 62:12 (2020), 2138–2146 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Kastro, M. È. Pashkevich, I. O. Popova, E. B. Shadrin, “Semiconductor–superionic phase transition in silver sulfide films”, Phys. Solid State, 62:12 (2020), 2403–2411 |
2
|
7. |
А. В. Ильинский, Е. Б. Шадрин, “Корреляционная природа фазового перехода изолятор–металл в пленках V$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1284–1292 ; A. V. Ilinskiy, E. B. Shadrin, “Correlation mechanism of the insulator–metal transition in V$_2$O$_3$ films”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1451–1459 |
2
|
8. |
А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия и механизм фазового перехода полупроводник-металл в легированных пленках VO$_{2}$:Ge и VO$_{2}$:Mg”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 331–340 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Kastro, M. È. Pashkevich, E. B. Shadrin, “Dielectric spectroscopy and mechanism of the semiconductor–metal phase transition in doped VO$_2$:Ge and VO$_2$:Mg films”, Semiconductors, 54:4 (2020), 403–411 |
1
|
9. |
А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 153–159 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Kastro, M. È. Pashkevich, E. B. Shadrin, “Dielectric spectroscopy and features of the mechanism of the semiconductor–metal phase transition in VO$_{2}$ films”, Semiconductors, 54:2 (2020), 205–211 |
5
|
|
2019 |
10. |
А. В. Ильинский, Р. А. Кастро, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия как метод исследования тонких пленок диоксида ванадия”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1885–1890 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Castro, M. È. Pashkevich, E. B. Shadrin, “Dielectric spectroscopy as a method for testing thin vanadium dioxide films”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1790–1795 |
2
|
11. |
А. В. Ильинский, Р. А. Кастро, А. А. Кононов, М. Э. Пашкевич, И. О. Попова, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия пленок VO$_{2}$:Ge”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 44–46 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Castro, A. A. Kononov, M. È. Pashkevich, I. O. Popova, E. B. Shadrin, “Dielectric spectroscopy of VO$_{2}$:Ge films”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 573–575 |
4
|
|
2018 |
12. |
А. В. Ильинский, В. М. Капралова, Р. А. Кастро, Л. А. Набиуллина, В. М. Стожаров, Е. Б. Шадрин, “Механизм оптической перезарядки магнитных центров в BSO:Fe”, Физика твердого тела, 60:9 (2018), 1785–1792 ; A. V. Ilinskiy, V. M. Kapralova, R. A. Castro, L. A. Nabiullina, V. M. Stozharov, E. B. Shadrin, “Mechanism of optical charge exchange of magnetic centers in BSO:Fe”, Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1831–1838 |
1
|
13. |
А. О. Вонти, А. В. Ильинский, В. М. Капралова, Е. Б. Шадрин, “Комплексная природа термических фазовых превращений в растворах альбумина”, ЖТФ, 88:6 (2018), 934–942 ; A. O. Vonti, A. V. Ilinskiy, V. M. Kapralova, E. B. Shadrin, “The complex nature of thermal phase transitions in albumin solutions”, Tech. Phys., 63:6 (2018), 908–915 |
4
|
14. |
А. В. Ильинский, Р. А. Кастро, Е. И. Никулин, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия сильно коррелированных электронных состояний диоксида ванадия”, ЖТФ, 88:6 (2018), 877–882 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Castro, E. I. Nikukin, E. B. Shadrin, “Dielectric spectroscopy of strongly correlated electronic states of vanadium dioxide”, Tech. Phys., 63:6 (2018), 851–856 |
4
|
15. |
А. О. Вонти, А. В. Ильинский, Я. С. Кацнельсон, Е. Б. Шадрин, “Влияние излучения крайне высоких частот на выработку серотонина в живом организме”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 27–33 ; A. O. Vonti, A. V. Ilinskiy, Ya. S. Katsnel'son, E. B. Shadrin, “The effect of extremely high-frequency radiation on the production of serotonin in a living organism”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 769–771 |
1
|
|
2013 |
16. |
А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, Л. А. Набиуллина, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Магнитооптические эффекты в нелегированных кристаллах силиката висмута”, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, 2013, № 4-1(182), 9–20 |
|
1992 |
17. |
А. В. Ильинский, А. Б. Куценко, М. Н. Степанова, “Экранирование поля в $p{-}i{-}n$-структурах на основе арсенида галлия
при приложении напряжения обедняющей полярности”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 710–718 |
|
1991 |
18. |
А. В. Ильинский, М. Б. Мельников, “О поздней стадии экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках”, Физика твердого тела, 33:11 (1991), 3427–3430 |
|
1990 |
19. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, С. М. Репин, А. С. Фурман, “Динамика экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках ZnSe”, Физика твердого тела, 32:10 (1990), 3014–3023 |
20. |
А. В. Ильинский, М. Б. Мельников, А. Б. Куценко, “Эволюция электрического поля в силикате висмута при локальном
фотовозбуждении”, ЖТФ, 60:11 (1990), 94–103 |
21. |
А. В. Ильинский, А. Б. Куценко, М. Б. Мельников, “Стационарное распределение электрического поля в кристаллах
силленитов, одновременно облучаемых электронным и световым пучками”, ЖТФ, 60:6 (1990), 84–91 |
|
1989 |
22. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, А. С. Фурман, “Два режима экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках с глубокими центрами”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 212–220 |
|
1988 |
23. |
А. В. Ильинский, А. Б. Куценко, М. Б. Мельников, “Релаксация фототока и электрического поля в МДП структуре на основе силиката висмута”, Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1780–1787 |
24. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, А. С. Фурман, “Динамика экранирования электрического поля в фоторефрактивных
кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$”, Письма в ЖТФ, 14:14 (1988), 1330–1335 |
|
1986 |
25. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, В. А. Киселев, “Роль глубоких центров в динамике зарядов и полей в фоторефрактивных кристаллах силленитов”, Физика твердого тела, 28:11 (1986), 3438–3445 |
26. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, М. Б. Мельников, “Роль глубоких центров захвата в фотоэлектрических свойствах Bi$_{12}$GeO$_{20}$”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 926–929 |
|
1984 |
27. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, В. А. Киселев, “Стратификация объемного заряда при экранировании поля в кристаллах”, Физика твердого тела, 26:9 (1984), 2843–2851 |
28. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, В. А. Киселев, М. Б. Мельников, “Возникновение знакопеременного объемного заряда в кристалле в процессе экранирования внешнего поля”, Физика твердого тела, 26:3 (1984), 743–745 |
|
1983 |
29. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, М. Б. Мельников, “Определение параметров ловушек в высокоомных нецентросимметричных фотопроводниках методом оптического зондирования захваченного заряда”, Физика твердого тела, 25:10 (1983), 3042–3048 |
30. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, В. А. Киселев, М. Б. Мельников, “Динамика распределения поля и заряда в Bi$_{12}$GeO$_{20}$ при термической ионизации ловушек”, Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2755–2758 |
31. |
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, М. Б. Мельников, “Влияние предварительного оптического возбуждения ловушек на процессы переноса заряда в кристаллах Bi$_{12}$GeO$_{20}$”, Физика твердого тела, 25:7 (1983), 2163–2168 |
|