Диэлектрическая спектроскопия сильно коррелированных электронных состояний диоксида ванадия

В интервале температур -196 $<T<$ 100$^\circ$C (77 $<T<$ 273 K) прослежена термическая эволюция проводимости пленки VO$_{2}$ и полученной на базе данных ширины $E_{g}$ запрещенной зоны нанокристаллитов пленки; определена глубина залегания примесных центров донорного типа ($E_{d}$ = 0.04 eV). Показано, что с ростом температуры в интервале 273 $<T<$ 300 K энергия $E_{g}$ уменьшается от 0.8 до $\sim$0 eV, что обусловлено сужением энергетической щели благодаря корреляционным эффектам и позиционируется как протяженный по температуре моттовский электронный фазовый переход “диэлектрик–металл” с сохранением моноклинной симметрии решетки. Последующий скачок симметрии от моноклинной до тетрагональной при дальнейшем росте температуры позиционируется как структурный фазовый переход Пайерлса, температура которого лежит в области 340 K и определяется размерными эффектами, нестехиометрией нанокристаллитов пленки VO$_{2}$ и степенью их адгезии к подложке.