Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 153–159
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48910.9267
(Mi phts5279)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$

А. В. Ильинскийa, А. Р. Кастроb, М. Э. Пашкевичc, Е. Б. Шадринa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация: В интервале 0.1–10$^{6}$ Гц изучена температурная трансформация частотных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta(f)$, а также диаграммы Коула-Коула для нелегированных пленок диоксида ванадия. Измерения проведены в температурном интервале $T$ = 273–373 K. Показано, что вид диаграмм Коула–Коула для всех пленок слабо зависит от температуры в указанном интервале, тогда как частоты $f_{0}$, соответствующие максимумам функции $\operatorname{tg}\delta(f)$, увеличиваются с ростом температуры. Измерены петли температурного гистерезиса частотных положений максимумов $f_0(T)$. При интерпретации данных диэлектрической спектроскопии использована комплексная эквивалентная электрическая схема образца, позволившая выявить в специально не легированных пленках VO$_{2}$ наличие двух типов зерен, различающихся электрическими свойствами. Присутствие двух типов зерен определяет особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$.
Ключевые слова: диоксид ванадия VO$_{2}$, пленки VO$_{2}$, фазовый переход, корреляционные эффекты, диэлектрическая спектроскопия, атомно-силовая микроскопия.
Поступила в редакцию: 25.09.2019
Исправленный вариант: 30.09.2019
Принята в печать: 30.09.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 205–211
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 153–159; Semiconductors, 54:2 (2020), 205–211
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IliKasPas20}
\by А.~В.~Ильинский, А.~Р.~Кастро, М.~Э.~Пашкевич, Е.~Б.~Шадрин
\paper Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник--металл в пленках VO$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 153--159
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5279}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48910.9267}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571091}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 205--211
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020116}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5279
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p153
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024