|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$
А. В. Ильинскийa, А. Р. Кастроb, М. Э. Пашкевичc, Е. Б. Шадринa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
В интервале 0.1–10$^{6}$ Гц изучена температурная трансформация частотных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta(f)$, а также диаграммы Коула-Коула для нелегированных пленок диоксида ванадия. Измерения проведены в температурном интервале $T$ = 273–373 K. Показано, что вид диаграмм Коула–Коула для всех пленок слабо зависит от температуры в указанном интервале, тогда как частоты $f_{0}$, соответствующие максимумам функции $\operatorname{tg}\delta(f)$, увеличиваются с ростом температуры. Измерены петли температурного гистерезиса частотных положений максимумов $f_0(T)$. При интерпретации данных диэлектрической спектроскопии использована комплексная эквивалентная электрическая схема образца, позволившая выявить в специально не легированных пленках VO$_{2}$ наличие двух типов зерен, различающихся электрическими свойствами. Присутствие двух типов зерен определяет особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$.
Ключевые слова:
диоксид ванадия VO$_{2}$, пленки VO$_{2}$, фазовый переход, корреляционные эффекты, диэлектрическая спектроскопия, атомно-силовая микроскопия.
Поступила в редакцию: 25.09.2019 Исправленный вариант: 30.09.2019 Принята в печать: 30.09.2019
Образец цитирования:
А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 153–159; Semiconductors, 54:2 (2020), 205–211
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5279 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p153
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 15 |
|