Диэлектрическая спектроскопия пленок VO$_{2}$:Ge

В интервале 10–10$^{6}$ Hz при 300 K исследованы частотные зависимости комплексного импеданса $\dot Z$, диэлектрической проницаемости $\dot\varepsilon$ и тангенса угла диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta$ тонких (1400 $\mathring{\mathrm{A}}$) пленок V$_{1-x}$Ge$_{x}$O$_{2}$ (для $x$ = 0 и 0.03). Установлено, что при $x$ = 0 частотная зависимость $\operatorname{tg}\delta$ имеет максимум на частоте 100 kHz, тогда как при $x$ = 0.03 обнаруживается дополнительный максимум в области 10 kHz. Коул–Коул-диаграмма пленок VO$_{2}$:Ge также приобретает особенность в виде дополнительной полуокружности. Предложена комплексная эквивалентная электрическая схема образца, позволившая благодаря рекордно высокой чувствительности метода диэлектрической спектроскопии обнаружить существование в пленке V$_{0.97}$Ge$_{0.03}$O$_{2}$ двух совокупностей нанокристаллитов VO$_{2}$: легированных Ge и практически нелегированных.