Диэлектрическая спектроскопия как метод исследования тонких пленок диоксида ванадия

Исследованы диэлектрические спектры образцов тонких (1200 $\mathring{\mathrm{A}}$) пленок диоксида ванадия – материала с сильными электрон-электронными корреляциями. Исследованы как нелегированные, так и легированные германием пленки VO$_{2}$:Ge. Для последних обнаружен дополнительный максимум в частотном спектре тангенса угла диэлектрических потерь. Изучена тонкая структура спектров и выполнена физическая интерпретация двух максимумов на частотной зависимости тангенса угла диэлектрических потерь и двух полуокружностей на Коул–Коул диаграмме. Анализ результатов произведен на основе эквивалентных электрических схем образцов: одноконтурной RC-схемы для случая нелегированной пленки VO$_{2}$ и двухконтурной – для VO$_{2}$:Ge. Определены численные значения параметров модельных схем.