Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Yassievich, Irina Nikolaevna
(1936–2020)
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 39
Scientific articles: 39

Number of views:
This page:329
Abstract pages:3765
Full texts:1781
References:249
Main Scientist Researcher
Doctor of physico-mathematical sciences
Birth date: 27.03.1936
Website: https://prabook.com/web/irina_nikolaevna.yassievich/448122; https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/50291
   
Main publications:
  • Bezyzluchatelnaya rekombinatsiya v poluprovodnikakh / V. N. Abakumov, V. I. Perel, I. N. Yassievich. - Sankt-Peterburg : FTI, 1997. - 375 s. : il.; 21 sm.; ISBN 5-86763-111-7

https://www.mathnet.ru/eng/person58431
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=21611
https://www.researchgate.net/profile/Irina-Yassievich

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. M. V. Baidakova, N. A. Bert, V. Yu. Davydov, A. V. Ershov, A. A. Levin, A. N. Smirnov, L. A. Sokura, O. M. Sreseli, I. N. Yassievich, “Modification of ge structural-morphological properties in multi-layered nanoperiodic Al$_{2}$O$_{3}$/Ge structure with intermediate Si layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  882–889  mathnet  elib
2020
2. O. M. Sreseli, N. A. Bert, V. N. Nevedomskiy, A. I. Lihachev, I. N. Yassievich, A. V. Ershov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, B. A. Andreev, A. N. Yablonskii, “Ge/Si core/shell quantum dots in an alumina matrix: influence of the annealing temperature on the optical properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:2 (2020),  129–137  mathnet  elib; Semiconductors, 54:2 (2020), 181–189 4
2018
3. A. V. Belolipetskiy, M. O. Nestoklon, I. N. Yassievich, “Simulation of electron and hole states in Si nanocrystals in a SiO$_{2}$ matrix: choice of parameters of the empirical tight-binding method”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1145–1149  mathnet  elib; Semiconductors, 52:10 (2018), 1264–1268 4
2017
4. A. V. Gert, M. O. Nestoklon, A. A. Prokof'ev, I. N. Yassievich, “Tight-binding simulation of silicon and germanium nanocrystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:10 (2017),  1325–1340  mathnet  elib; Semiconductors, 51:10 (2017), 1274–1289 3
2016
5. O. B. Gusev, A. V. Belolipetskiy, I. N. Yassievich, A. V. Kukin, E. E. Terukova, E. I. Terukov, “Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:5 (2016),  639–642  mathnet  elib; Semiconductors, 50:5 (2016), 627–631 1
2013
6. A. V. Gert, I. N. Yassievich, “Radiative and nonradiative recombination of self-trapped exciton on silicon nanocrystal interface”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 97:2 (2013),  93–97  mathnet  elib; JETP Letters, 97:2 (2013), 87–91  isi  elib  scopus 11
2011
7. O. B. Gusev, A. A. Prokofiev, O. A. Maslova, E. I. Terukov, I. N. Yassievich, “Energy transfer between silicon nanocrystals”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 93:3 (2011),  162–165  mathnet; JETP Letters, 93:3 (2011), 147–150  isi  scopus 18
2009
8. A. A. Prokofiev, A. S. Moskalenko, I. N. Yassievich, W. D. S. A. M. de Boer, D. Timmerman, Zhang Hongwei, W. J. Buma, T. Gregorkiewicz, “Direct bandgap optical transitions in Si nanocrystals”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 90:12 (2009),  856–860  mathnet; JETP Letters, 90:12 (2009), 758–762  isi  scopus 71
9. A. N. Poddubnyi, S. V. Goupalov, V. I. Kozub, I. N. Yassievich, “Electron-phonon interaction in non-polar quantum dots induced by the amorphous polar environment”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 90:10 (2009),  756–760  mathnet; JETP Letters, 90:10 (2009), 683–687  isi  scopus 10
2006
10. A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, I. N. Yassievich, “Linearly polarized terahertz radiation in uniaxially deformed Ge(Ga) upon the electric breakdown of an impurity”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 83:8 (2006),  410–413  mathnet; JETP Letters, 83:8 (2006), 351–354  isi  scopus 6
2004
11. A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, I. N. Yassievich, N. N. Zinov'ev, “Terahertz electroluminescence under conditions of shallow acceptor breakdown in germanium”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 79:8 (2004),  448–451  mathnet; JETP Letters, 79:8 (2004), 365–367  scopus 49
1992
12. I. N. Yassievich, V. M. Chistyakov, “Неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний при многофононной рекомбинации”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992),  1815–1824  mathnet
13. S. Bumyalene, I. N. Yassievich, “Захват электронов на отталкивающие кулоновские центры в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:9 (1992),  1569–1573  mathnet
1991
14. M. S. Bresler, A. L. Merkulov, I. A. Merkulov, V. M. Chistyakov, I. N. Yassievich, “Polarization spectrum of optically oriented photocarriers in semiconductors in induced optical recombination transitions”, Fizika Tverdogo Tela, 33:1 (1991),  174–181  mathnet
15. V. N. Abakumov, A. A. Pokhomov, I. N. Yassievich, “Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (обзор)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991),  1489–1516  mathnet
16. M. S. Bresler, O. B. Gusev, M. P. Mikhailova, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, I. N. Yassievich, “Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  298–306  mathnet
1990
17. A. P. Dmitriev, E. Z. Imamov, I. N. Yassievich, “Резонанс Фано эффекта увлечения электронов фотонами в полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2193–2197  mathnet
18. M. A. Afrailov, A. N. Baranov, A. P. Dmitriev, M. P. Mikhailova, Y. P. Smorchkova, I. N. Timchenko, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, I. N. Yassievich, “Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb$-$InAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1397–1406  mathnet
1989
19. V. N. Abakumov, A. A. Pokhomov, I. N. Yassievich, “Local vibration heating under nonradiative recombination”, Fizika Tverdogo Tela, 31:11 (1989),  135–148  mathnet
20. V. N. Abakumov, A. A. Pokhomov, M. K. Sheĭnkman, I. N. Yassievich, “Новый «электронный» механизм энергетической релаксации локальных колебаний сильно возбужденных дефектов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2232–2234  mathnet
1988
21. V. N. Abakumov, V. Karpus, V. I. Perel', I. N. Yassievich, “Thermally-assisted field ionization of impurities: multimode consideration”, Fizika Tverdogo Tela, 30:8 (1988),  2498–2504  mathnet
22. V. N. Abakumov, O. V. Kurnosova, A. A. Pokhomov, I. N. Yassievich, “Multiphonon recombination via deep impurity centers”, Fizika Tverdogo Tela, 30:6 (1988),  1793–1802  mathnet
23. V. N. Abakumov, V. Karpus, V. I. Perel, I. N. Yassievich, “Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  262–268  mathnet
1987
24. B. L. Gel'mont, V. A. Kharchenko, I. N. Yassievich, “Auger-recombination of exciton-impurity complexes”, Fizika Tverdogo Tela, 29:8 (1987),  2351–2360  mathnet
25. S. G. Konnikov, V. A. Solovev, V. E. Umanskii, A. A. Husainov, V. M. Chistyakov, I. N. Yassievich, “Current Induced by Electron Probe in Semiconductor Heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987),  1648–1653  mathnet
1986
26. I. A. Merkulov, A. A. Pokhomov, I. N. Yassievich, “Light electroabsorption by deep impurity centers in semiconductors with a complex valence band structure”, Fizika Tverdogo Tela, 28:7 (1986),  2127–2134  mathnet
1985
27. V. A. Avramenko, Yu. G. Rubo, M. V. Strikha, I. N. Yassievich, “On impurity auger-recombination”, Fizika Tverdogo Tela, 27:8 (1985),  2313–2319  mathnet
28. E. Z. Imamov, N. M. Kolchanova, I. N. Yassievich, “Account of continuous spectrum perturbated wave functions in impurity absorption”, Fizika Tverdogo Tela, 27:5 (1985),  1492–1498  mathnet
29. E. Z. Imamov, N. M. Kolchanova, L. N. Kreshchuk, I. N. Yassievich, “Effects of scattering on shallow neutral center on transport phenomena at low temperatures”, Fizika Tverdogo Tela, 27:1 (1985),  69–76  mathnet
30. M. V. Strikha, I. N. Yassievich, “Auger Recombination via Donors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1715–1717  mathnet
31. N. S. Averkiev, Yu. T. Rebane, I. N. Yassievich, “Ionization Potentials of Multicharge Deep Impurities in Cubic Semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  96–100  mathnet
1984
32. O. V. Kurnosova, I. N. Yassievich, “Tunnelling from deep centers in strong electric fields”, Fizika Tverdogo Tela, 26:11 (1984),  3307–3315  mathnet
33. E. Z. Imamov, N. M. Kolchanova, I. D. Loginova, I. N. Yassievich, “Photoionization cross-section for $h$-center-conduction band transition”, Fizika Tverdogo Tela, 26:6 (1984),  1877–1879  mathnet
34. M. V. Strikha, I. N. Yassievich, “Impact Recombination of Electrons via Deep and Shallow Acceptors in $p$-Type Semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  43–48  mathnet
1983
35. G. Kester, I. N. Yassievich, “Thermostimulated emission of electrons in isolators”, Fizika Tverdogo Tela, 25:6 (1983),  1855–1857  mathnet
36. N. M. Kolchanova, I. D. Loginova, I. N. Yassievich, “Deep $h$-center photoionization in semiconductors”, Fizika Tverdogo Tela, 25:6 (1983),  1650–1659  mathnet
37. B. L. Gel'mont, V. I. Perel', I. N. Yassievich, “On Urbach's rule”, Fizika Tverdogo Tela, 25:3 (1983),  727–733  mathnet
38. A. P. Dmitriev, M. P. Mikhailova, I. N. Yassievich, “Ударная ионизация дырками в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983),  875–880  mathnet
39. A. P. Dmitriev, M. P. Mikhailova, I. N. Yassievich, “Ударная ионизация электронами в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  46–51  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024