Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Nadtochiy, Aleksei Mikailovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 30
Scientific articles: 30

Number of views:
This page:133
Abstract pages:2221
Full texts:704
References:44
Candidate of physico-mathematical sciences (2011)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)
E-mail:
Website: https://ioffe.ru/sem_tech/sem_teh_main_staff_nadtochiyam_ru.htm

https://www.mathnet.ru/eng/person183025
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=598209

Publications in Math-Net.Ru Citations
2022
1. F. I. Zubov, Yu. M. Shernyakov, N. Yu. Gordeev, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. E. Zhukov, “Ultrahigh modal gain in stripe injection lasers and microlasers based on InGaAs/GaAs quantum dots”, Kvantovaya Elektronika, 52:7 (2022),  593–596  mathnet
2021
2. S. A. Blokhin, A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, V. V. Andryushkin, S. S. Rochas, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, I. O. Zhumaeva, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, V. E. Bugrov, “Investigation of the characteristics of the InGaAs/InAlGaAs superlattice for 1300 nm range vertical-cavity surface emitting lasers”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:12 (2021),  2008–2017  mathnet  elib
3. N. V. Kryzhanovskaya, A. S. Dragunova, S. D. Komarov, A. M. Nadtochiy, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, A. V. Uvarov, V. V. Andryushkin, D. V. Denisov, E. S. Kolodeznyi, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, “Optical properties of three-dimensional InGaP(As) islands formed by substitution of fifth-group elements”, Optics and Spectroscopy, 129:2 (2021),  218–222  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 129:2 (2021), 256–260 1
4. A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. S. Dragunova, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, N. Yu. Gordeev, “Increase in the efficiency of a tandem of semiconductor laser – optical amplifier based on self-organizing quantum dots”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:12 (2021),  1223–1228  mathnet  elib
5. A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, F. I. Zubov, M. V. Fetisova, M. V. Maksimov, N. Yu. Gordeev, “Saturation power of a semiconductor optical amplifier based on self-organized quantum dots”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:9 (2021),  820–825  mathnet  elib; Semiconductors, 55 (2021), s67–s71 1
6. A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, F. Yu. Soldatenkov, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:8 (2021),  699–703  mathnet  elib; Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 4
7. Yu. M. Shernyakov, N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, A. A. Serin, G. O. Kornyshov, A. M. Nadtochiy, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Effect of the active region and waveguide design on the performance of edge-emitting lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:3 (2021),  256–263  mathnet  elib; Semiconductors, 55:3 (2021), 333–340 4
8. A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, A. S. Dragunova, “Impact of substrate in calculating the electrical resistance of microdisk lasers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:2 (2021),  195–200  mathnet  elib; Semiconductors, 55:2 (2021), 250–255 1
9. F. I. Zubov, M. V. Maksimov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. S. Dragunova, S. A. Blokhin, A. A. Vorob'ev, A. M. Mozharov, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. E. Zhukov, “Increasing the optical power of InGaAs/GaAs microdisk lasers transferred to a silicon substrate by thermal compression”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:20 (2021),  3–6  mathnet  elib
10. A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Energy consumption at high-frequency modulation of an uncooled InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk laser”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:13 (2021),  28–31  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 685–688
2020
11. D. A. Rybalko, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Spectroscopy of photoluminescence excitation of InAs/InGaAs/GaAs quantum dot array in 20–300 K temperature range”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020),  110–117  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 158:1 (2020), 106–113 1
12. R. A. Salii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Comparative analysis of the optical and physical properties of inas and InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As quantum dots and solar cells based on them”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1079–1087  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1267–1275 3
13. A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, “Ultimate lasing temperature of microdisk lasers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:6 (2020),  570–574  mathnet  elib; Semiconductors, 54:6 (2020), 677–681 2
14. S. A. Mintairov, I. M. Gadzhiev, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “High-speed photodetectors for the 950–1100 nm optical range based on In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs quantum well-dot nanostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:24 (2020),  11–14  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1219–1222 1
15. A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, A. M. Mozharov, S. A. Kadinskaya, O. I. Simchuk, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Lasing of injection microdisks with InAs/InGaAs/GaAs quantum dots transferred to silicon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:16 (2020),  3–6  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 783–786 4
16. N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. A. Kharchenko, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “A micro optocoupler based on a microdisk laser and a photodetector with an active region based on quantum well-dots”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:13 (2020),  7–10  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 629–632 3
17. M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “The influence of the number of rows of GaInAs quantum objects on the saturation current of GaAs photoconverters”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:12 (2020),  30–33  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 599–602 2
18. A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “The effect of self-heating on the modulation characteristics of a microdisk laser”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:11 (2020),  3–7  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 515–519 4
19. S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, A. A. Kharchenko, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “Experimental and theoretical examination of the photosensitivity spectra of structures with In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As quantum well-dots of the optical range (900–1050 nm)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:5 (2020),  3–6  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 203–206 5
2019
20. A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, M. M. Kulagina, A. S. Payusov, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, T. Denneulin, N. Cherkashin, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, “InGaAlP/GaAs injection lasers of orangeoptical range ($\sim$600nm)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019),  1708–1713  mathnet  elib; Semiconductors, 53:12 (2019), 1699–1704
21. A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, D. A. Sannikov, T. F. Yagafarov, A. E. Zhukov, “Time-resolved photoluminescence of InGaAs nanostructures different in quantum dimensionality”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:11 (2019),  1520–1526  mathnet  elib; Semiconductors, 53:11 (2019), 1489–1495 4
22. A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, Yu. M. Shernyakov, G. O. Kornyshov, A. A. Serin, A. S. Payusov, V. N. Nevedomskiy, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Lasers based on quantum well-dots emitting in the 980- and 1080-nm optical ranges”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:4 (2019),  42–45  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 163–166 2
2018
23. M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, A. A. Serin, N. Yu. Gordeev, A. E. Zhukov, “Effect of epitaxial-structure design and growth parameters on the characteristics of metamorphic lasers of the 1.46-$\mu$m optical range based on quantum dots grown on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1191–1196  mathnet  elib; Semiconductors, 52:10 (2018), 1311–1316 2
24. S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, V. N. Nevedomskiy, L. A. Sokura, S. S. Ruvimov, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “Multilayer quantum well–dot InGaAs heterostructures in GaAs-based photovoltaic converters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1131–1136  mathnet  elib; Semiconductors, 52:10 (2018), 1249–1254 2
25. R. A. Salii, I. S. Kosarev, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As quantum dots for GaAs solar cells: metal-organic vapor-phase epitaxy growth peculiarities and properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:7 (2018),  729–735  mathnet  elib; Semiconductors, 52:7 (2018), 870–876 2
26. A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, S. S. Ruvimov, V. N. Nevedomskiy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Bimodality in arrays of In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As hybrid quantum-confined heterostructures grown on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  57–62  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 55–58 5
2017
27. S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, A. E. Zhukov, “InAs QDs in a metamorphic In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As matrix, grown by MOCVD”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  704–710  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 672–678
28. S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, S. S. Ruvimov, A. E. Zhukov, “Optical properties of hybrid quantum-well–dots nanostructures grown by MOCVD”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  372–377  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 357–362 2
2016
29. A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, S. A. Blokhin, A. A. Blokhin, A. M. Nadtochiy, A. S. Kurochkin, A. Yu. Egorov, “Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520–1580 nm spectral range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:9 (2016),  1208–1212  mathnet  elib; Semiconductors, 50:9 (2016), 1186–1190 7
30. A. M. Nadtochiy, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, A. S. Payusov, S. S. Rouvimov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Optical properties of hybrid quantum-confined structures with high absorbance”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:9 (2016),  1202–1207  mathnet  elib; Semiconductors, 50:9 (2016), 1180–1185 2

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024