Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Klyachkin, Leonid Efimovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 26
Scientific articles: 26

Number of views:
This page:71
Abstract pages:1186
Full texts:643
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person161719
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Registration of terahertz radiation with silicon carbide nanostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:12 (2021),  1195–1202  mathnet  elib 2
2. N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Terahertz emission from silicon carbide nanostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  1027–1033  mathnet  elib 3
3. N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. V. Romanov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Magnetic properties of thin epitaxial SiC layers grown by the atom-substitution method on single-crystal silicon surfaces”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:2 (2021),  103–111  mathnet  elib; Semiconductors, 55:2 (2021), 137–145 12
2020
4. N. T. Bagraev, P. A. Golovin, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. P. Presnukhina, N. I. Rul', A. S. Reukov, V. S. Khromov, “Terahertz radiation sources and detectors based on optical microcavities embedded in the edge channels of silicon nanosandwiches”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:10 (2020),  1663–1671  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:10 (2020), 1591–1599 1
5. N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, K. B. Taranets, “Terahertz response of biological tissue for diagnostic and treatment in personalized medicine”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:9 (2020),  1502–1505  mathnet
2018
6. Maxim A. Fomin, Andrey L. Chernev, Nicolay T. Bagraev, Leonid E. Klyachkin, Anton K. Emelyanov, Michael V. Dubina, “Dielectric properties of oligonucleotides on the surface of Si nanosandwich structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:5 (2018),  512  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 612–614
7. N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, V. S. Khromov, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, T. V. Matveev, V. V. Romanov, N. I. Rul, K. B. Taranets, “High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:4 (2018),  473  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 478–484 2
2016
8. N. T. Bagraev, A. L. Chernev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. K. Emelyanov, M. V. Dubina, “Dielectric properties of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1353–1357  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1333–1337 3
9. N. T. Bagraev, A. L. Chernev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. K. Emelyanov, M. V. Dubina, “Terahertz response of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:9 (2016),  1230–1237  mathnet  elib; Semiconductors, 50:9 (2016), 1208–1215 5
10. N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov, “Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:8 (2016),  1047–1054  mathnet  elib; Semiconductors, 50:8 (2016), 1025–1033 19
11. N. T. Bagraev, E. I. Chaikina, E. Yu. Danilovskii, D. S. Gets, L. E. Klyachkin, T. V. L'vova, A. M. Malyarenko, “Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:4 (2016),  474–484  mathnet  elib; Semiconductors, 50:4 (2016), 466–477 1
1992
12. R. M. Amalskaya, N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, V. L. Sukhanov, “Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992),  1004–1007  mathnet
1991
13. N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, V. L. Sukhanov, “Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991),  1613–1617  mathnet
14. N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. L. Sukhanov, “Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:4 (1991),  644–654  mathnet
15. N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, V. L. Sukhanov, “TUNNEL EFFECTS IN QUANTUM-DIMENSIONAL SILICON TRANSISTOR”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:2 (1991),  42–46  mathnet
1990
16. N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, I. S. Polovtsev, V. L. Sukhanov, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1563–1573  mathnet
17. N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, I. S. Polovtsev, V. L. Sukhanov, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1557–1562  mathnet
18. R. R. Vardanyan, L. E. Klyachkin, V. L. Sukhanov, “Четный магнитный фотоэффект в структурах с $p{-}n$-переходом цилиндрической формы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  485–487  mathnet
1987
19. L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. L. Sukhanov, L. M. Chistyakova, “CRITERIA OF OPTIMAL CLARIFICATION OF AN OPTIC-SYSTEM OF AIR-SIOX-POLYCRYSTALLINE-SI-MONOCRYSTALLINE-SI IN THE SPECTRAL REGION 550-950-NM”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:4 (1987),  823–826  mathnet
20. N. T. Bagraev, A. L. Diikov, L. E. Klyachkin, V. A. Mashkov, V. L. Sukhanov, “Study of the effect of oxides and polycrystal layers on the carrier life-span in monocrystal silicon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:17 (1987),  1025–1029  mathnet
1985
21. L. E. Klyachkin, L. B. Lopatina, A. M. Malyarenko, V. L. Sukhanov, N. V. Zabrodskaya, “INVESTIGATION OF THE THIN SIOX(O-GREATER-THAN-OR-EQUAL-TO-X-GREATER-THAN-OR-EQUAL-TO-2) FILMS ON SPECTRAL CHARACTERISTICS OF SILICON P-N TRANSITIONS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985),  2191–2195  mathnet
22. V. M. Andreev, A. T. Gorelenok, M. Z. Zhingarev, L. E. Klyachkin, V. V. Mamutin, N. M. Saradzhishvili, B. I. Skopina, O. V. Sulima, N. M. Shmidt, “Study of Leakage Currents of Planar $p{-}n$ Junctions in InP and of $p{-}i{-}n$ Structures Based on InGaAs/InP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  668–673  mathnet
23. L. E. Klyachkin, L. B. Lopatina, A. M. Malyarenko, V. L. Sukhanov, “Photoelectric characteristics of the $Si\,O_{x}$ ($1\leqslant x \leqslant 2$)-polycrystal $Si-Ge$ system”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:11 (1985),  675–679  mathnet
24. L. E. Klyachkin, L. B. Lopatina, A. M. Malyarenko, V. L. Sukhanov, “Spectral characteristics of selective photo-detectors for the visible and ultraviolet-spectrum area”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:6 (1985),  354–358  mathnet
1983
25. L. E. Klyachkin, L. B. Lopatina, A. M. Malyarenko, A. V. Nalivkin, V. L. Sukhanov, V. V. Tuchkevich, “Correction”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2232  mathnet; Semiconductors, 17:12 (1983), 1431  isi
26. L. E. Klyachkin, L. B. Lopatina, A. M. Malyarenko, A. V. Nalivkin, V. L. Sukhanov, V. V. Tuchkevich, “Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983),  1648–1651  mathnet
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024