Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Khvostikov, Vladimir Petrovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 35
Scientific articles: 35

Number of views:
This page:107
Abstract pages:1801
Full texts:733
Doctor of physico-mathematical sciences (2003)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)

https://www.mathnet.ru/eng/person161145
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=20529

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. N. S. Potapovich, M. V. Nakhimovich, V. P. Khvostikov, “InGaAsP/InP photovoltaic converters for narrowband radiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  1091–1094  mathnet  elib
2. V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, M. V. Nakhimovich, M. Z. Shvarts, “GaSb-based thermophotovoltaic converters of IR selective emitter radiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  956–959  mathnet  elib; Semiconductors, 55:11 (2021), 840–843 5
2020
3. N. S. Potapovich, N. Yu. Daviduk, V. R. Larionov, V. P. Khvostikov, “An investigation of the influence of secondary optical elements on the output parameters of photovoltaic modules”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:12 (2020),  2118–2122  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:12 (2020), 2026–2030 2
4. V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Laser power converter modules with a wavelength of 809–850 nm”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:10 (2020),  1764–1768  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:10 (2020), 1690–1694
2019
5. V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Module of laser-radiation ($\lambda$ = 1064 nm) photovoltaic converters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:8 (2019),  1135–1139  mathnet  elib; Semiconductors, 53:8 (2019), 1110–1113 5
6. V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, V. M. Andreev, “Tritium power supply sources based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:23 (2019),  30–33  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1197–1199 9
7. A. V. Malevskaya, V. P. Khvostikov, F. Yu. Soldatenkov, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “A study of ohmic contacts of power photovoltaic converters”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:1 (2019),  12–15  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1198–1200 3
2018
8. V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1647–1650  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 9
9. V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, R. V. Levin, A. E. Marichev, N. Kh. Timoshina, B. V. Pushnii, “GaInAsP/InP-based laser power converters ($\lambda$ = 1064 nm)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1641–1646  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1748–1753 10
10. V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, “Modification of photovoltaic laser-power ($\lambda$ = 808 nm) converters grown by LPE”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:3 (2018),  385–389  mathnet  elib; Semiconductors, 52:3 (2018), 366–370 16
11. N. S. Potapovich, N. Kh. Timoshina, V. P. Khvostikov, “Photovoltaic laser-power converters based on LPE-grown InP(GaAs)/InP heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:18 (2018),  31–38  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 820–822 1
12. V. P. Khvostikov, P. V. Pokrovskii, O. A. Khvostikova, A. N. Panchak, V. M. Andreev, “High-efficiency AlGaAs/GaAs photovoltaic converters with edge input of laser light”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:17 (2018),  42–48  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 776–778 7
2017
13. V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, “Laser ($\lambda$ = 809 nm) power converter based on GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  676–679  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 645–648 17
2016
14. V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, R. V. Levin, B. V. Pushnii, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “GaSb laser-power ($\lambda$ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1358–1362  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1338–1343 9
15. V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:9 (2016),  1242–1246  mathnet  elib; Semiconductors, 50:9 (2016), 1220–1224 42
16. V. M. Emelyanov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:1 (2016),  132–137  mathnet  elib; Semiconductors, 50:1 (2016), 132–137 6
17. V. M. Emelyanov, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the ohmic loss in photovoltaic laser-power converters for wavelengths of 809 and 1064 nm”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:1 (2016),  125–131  mathnet  elib; Semiconductors, 50:1 (2016), 125–131 16
1992
18. A. B. Kazantsev, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, E. M. Tanklevskaya, V. P. Khvostikov, “Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:9 (1992),  1666–1668  mathnet
19. A. M. Mintairov, K. E. Smekalin, V. M. Ustinov, V. P. Khvostikov, “Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:4 (1992),  614–628  mathnet
1991
20. V. M. Andreev, A. B. Kazantsev, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “LOW-THRESHOLD (IN=2.0MA, 300-K) HIGH-PERFORMANCE (ETA-EXT=68-PERCENT) ALGAAS-HETEROLASERS OBTAINED BY LOW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY TECHNIQUE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:5 (1991),  1–5  mathnet
1990
21. V. M. Andreev, V. Y. Aksenov, A. B. Kazantsev, T. A. Prutskikh, V. D. Rumancev, E. M. Tanklevskaya, V. P. Khvostikov, “Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1757–1761  mathnet
22. A. M. Mintairov, K. E. Smekalin, V. M. Ustinov, V. P. Khvostikov, “Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1539–1549  mathnet
23. V. M. Andreev, V. S. Kalinovskii, V. R. Larionov, M. M. Milanova, K. Y. Rasulov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “PHOTOTRANSDUCERS BASED ON ALGAAS-GAAS HETEROSTRUCTURES FOR SCINTILLATION DETECTORS OF IONIZING-RADIATIONS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:19 (1990),  56–59  mathnet
24. V. B. Afanasev, S. A. Gurevich, A. L. Zakgeim, Y. A. Lifshits, V. M. Marahonov, V. P. Khvostikov, I. E. Chebunina, B. S. Yavich, “INJECTION LASER-FIELD-EFFECT TRANSISTOR FAST-RESPONSE OPTOELECTRON INTEGRAL DIAGRAM BASED ON ALGAAS/GAAS HETEROSTRUCTURE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:14 (1990),  70–74  mathnet
25. V. M. Andreev, V. R. Larionov, A. M. Mintairov, T. A. Prutskikh, V. D. Rumancev, K. E. Smekalin, V. P. Khvostikov, “STUDY OF COMPOSITION DISTRIBUTION IN ALGAAS HETEROSTRUCTURES WITH QUANTUM-DIMENSIONAL LAYERS BY THE RAMAN-SCATTERING TECHNIQUE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:9 (1990),  7–12  mathnet
1989
26. V. M. Andreev, A. A. Vodnev, V. R. Larionov, T. A. Prutskikh, V. D. Rumancev, K. Y. Rasulov, V. P. Khvostikov, “Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  597–600  mathnet
27. Z. I. Alferov, I. L. Aleiner, V. M. Andreev, V. S. Kalinovskii, G. L. Sandler, R. Seisyan, A. A. Toropov, T. V. Shubina, V. P. Khvostikov, “SEMICONDUCTING LASER WITH THE BUILT-IN EXCITON STARK QUALITY MODULATOR BASED ON ALGAAS DHS WITH SINGLE QUANTUM WELL GAAS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:7 (1989),  20–24  mathnet
1988
28. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. Y. Aksenov, V. R. Larionov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1775–1779  mathnet
29. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. Y. Aksenov, T. N. Nalet, N. T. Fyong, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “MULTIDIMENSIONAL STRIP AL-GA-AS-HETEROLASERS OF A MILLIAMPERIC RANGE OF CURRENTS (IN=2.1-MA, T=300-K), OBTAINED BY METHODS OF LOW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:22 (1988),  2057–2060  mathnet 1
30. R. Seisyan, A. A. Toropov, V. R. Larionov, V. P. Khvostikov, T. V. Shubina, I. L. Aleiner, “ELECTRICAL ABSORPTION UNDER THE WAVE-GUIDE LIGHT TRANSITION THROUGH THE DOUBLE ALGAAS HETEROSTRUCTURE WITH QUANTUM-DIMENSIONAL LAYERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:17 (1988),  1548–1552  mathnet
31. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. Y. Aksenov, V. R. Larionov, I. A. Mokina, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “LOW-THRESHOLD (IN=6.2-MA, T=300-K) BAND QUANTUM DIMENSIONAL ALGAAS-HETEROLASERS CREATED BY THE LOW-TEMPERATURE LPE METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:17 (1988),  1537–1540  mathnet
32. V. M. Andreev, A. A. Vodnev, V. R. Larionov, K. Y. Rasulov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “HETEROSTRUCTURES WITH TUNNEL THIN (20-50-A) SURFACE ALGAAS-LAYERS OBTAINED BY THE LPE METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:15 (1988),  1429–1433  mathnet
33. Z. I. Alferov, V. M. Andreev, S. G. Konnikov, V. R. Larionov, K. Yu. Pogrebickii, N. N. Faleev, V. P. Khvostikov, “LIQUID-PHASE ALGAAS-STRUCTURES WITH QUANTUM-DIMENTIONAL LAYERS OF THE APPROXIMATELY-20A WIDTH”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:2 (1988),  171–176  mathnet
1987
34. V. M. Andreev, A. A. Vodnev, A. M. Mintairov, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “Photoluminescence of Quantum-Dimensional Layers in AlGaAs-Heterostructures Produced by the Method of Low-Temperature Liquid-Phase Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1212–1216  mathnet
1986
35. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, A. A. Vodnev, S. G. Konnikov, V. R. Larionov, K. Yu. Pogrebickii, V. D. Rumancev, V. P. Khvostikov, “$Al\,Ga\,As$-heterostructures with quantum-dimensional layers, obtained by low-temperature liquid-phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:18 (1986),  1089–1093  mathnet 1

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024