Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Muzafarova, Marina Viktorovna

Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 11
Scientific articles: 11

Number of views:
This page:139
Abstract pages:818
Full texts:205
References:56
Candidate of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person62790
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. R. A. Babunts, A. S. Gurin, I. V. Il'in, A. P. Bundakova, M. V. Muzafarova, A. G. Badalyan, N. G. Romanov, P. G. Baranov, “High-frequency EPR spectroscopy of paramagnetic manganese centers in GaAs:Mn crystals”, Fizika Tverdogo Tela, 63:11 (2021),  1906–1914  mathnet  elib 1
2. R. A. Babunts, A. N. Anisimov, I. D. Breev, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, M. V. Muzafarova, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Fully optical detection of hyperfine electron–nuclear interactions in spin centers in 6h-sic crystals with a modified 13c isotope content”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 114:8 (2021),  533–540  mathnet; JETP Letters, 114:8 (2021), 463–469  isi 3
2020
3. R. A. Babunts, D. D. Kramushchenko, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, M. V. Muzafarova, A. G. Badalyan, N. G. Romanov, P. G. Baranov, “Features of high-frequency EPR/ESE/ODMR spectroscopy of NV-defects in diamond”, Fizika Tverdogo Tela, 62:11 (2020),  1807–1815  mathnet  elib; Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2024–2032 4
4. E. V. Edinach, A. D. Krivoruchko, A. S. Gurin, M. V. Muzafarova, I. V. Il'in, R. A. Babunts, N. G. Romanov, A. G. Badalyan, P. G. Baranov, “Application of high-frequency EPR spectroscopy for the identification and separation of nitrogen and vanadium sites in silicon carbide crystals and heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:1 (2020),  103–110  mathnet  elib; Semiconductors, 54:1 (2020), 150–156 1
2019
5. A. N. Anisimov, R. A. Babunts, I. D. Breev, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, M. V. Muzafarova, P. G. Baranov, “A scanning optical quantum magnetometer based on the phenomenon of burning holes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:10 (2019),  22–26  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 494–498
2018
6. I. V. Il'in, Yu. A. Uspenskaya, D. D. Kramushchenko, M. V. Muzafarova, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Group III acceptors with shallow and deep levels in silicon carbide: ESR and ENDOR studies”, Fizika Tverdogo Tela, 60:4 (2018),  641–659  mathnet  elib; Phys. Solid State, 60:4 (2018), 644–662 3
7. A. N. Anisimov, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “An optical quantum thermometer with submicron resolution based on the cross-relaxation phenomenon of spin levels”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:17 (2018),  34–41  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 772–775
2017
8. A. N. Anisimov, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, N. G. Romanov, P. G. Baranov, “An optical quantum thermometer with submicrometer resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:7 (2017),  70–77  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 355–357 2
2016
9. M. V. Muzafarova, I. V. Il'in, A. N. Anisimov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “Electronic structure and spatial distribution of the spin density of shallow nitrogen donors in the SiC lattice”, Fizika Tverdogo Tela, 58:12 (2016),  2319–2335  mathnet  elib; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2406–2422 5
10. A. N. Anisimov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “An optical quantum magnetometer with submicron resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:12 (2016),  22–29  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 618–621 2
2005
11. P. G. Baranov, I. V. Il'in, E. N. Mokhov, M. V. Muzafarova, S. B. Orlinskii, J. Shmidt, “EPR identification of the triplet ground state and photoinduced population inversion for a Si-C divacancy in silicon carbide”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 82:7 (2005),  494–497  mathnet; JETP Letters, 82:7 (2005), 441–443  isi  scopus 77

Organisations
 
  Contact us:
 Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024