|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2005 |
| 1. |
А. В. Зубанов, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Влияние энергии при ионно-химическом травлении структур GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As на фотолюминесценцию и деградацию приборов”, Квантовая электроника, 35:5 (2005), 445–448  [A. V. Zubanov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Effect of the energy of ion-chemical etching of GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As structures on photoluminescence and degradation of devices”, Quantum Electron., 35:5 (2005), 445–448  ] |
1
|
|
2004 |
| 2. |
Е. И. Давыдова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы”, Квантовая электроника, 34:9 (2004), 805–808 [E. I. Davydova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Single-mode ridge lasers fabricated in an inductively coupled plasma source”, Quantum Electron., 34:9 (2004), 805–808 ] |
1
|
|
2002 |
| 3. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 32:9 (2002), 809–814 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, M. Sh. Kobyakova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Low-frequency intensity fluctuations in high-power single-mode ridge quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructure semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:9 (2002), 809–814 ] |
4
|
|
Обратная связь: