|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Д. С. Земцов, А. К. Земцова, А. С. Смирнов, К. Н. Гарбузов, Р. С. Стариков, С. С. Косолобов, В. П. Драчев, “Эффективные и простые в изготовлении интегральные плазмонные решётки для телекоммуникационного оптического диапазона”, Компьютерная оптика, 47:2 (2023), 224–229  |
1
|
| 2. |
И. А. Пшеничнюк, К. Н. Гарбузов, Д. С. Земцов, Ю. Г. Гладуш, С. С. Косолобов, “Изменение коэффициента пропускания кремниевых волноводов, покрытых оксидом индия-олова, под действием интенсивных световых импульсов”, Квантовая электроника, 53:11 (2023), 842–845 [I. A. Pshenichnyuk, K. N. Garbuzov, D. S. Zemtsov, Yu. G. Gladush, S. S. Kosolobov, “Change in transmittance of indium-tin-oxide-coated silicon waveguides exposed to intense light pulses”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 2 (2024), S123–S128] |
|
2019 |
| 3. |
А. С. Петров, С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 456–461  ; A. S. Petrov, S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Micro-pits evolution on large terraces of Si(111) surface during high-temperature annealing”, Semiconductors, 53:4 (2019), 434–438 |
4
|
|
2018 |
| 4. |
И. А. Пшеничнюк, С. С. Косолобов, А. И. Маймистов, В. П. Драчев, “Преобразование поляризации света в асимметричных плазмонных волноводах”, Квантовая электроника, 48:12 (2018), 1153–1156 [I. A. Pshenichnyuk, S. S. Kosolobov, A. I. Maimistov, V. P. Drachev, “Conversion of light polarisation in asymmetric plasmonic waveguides”, Quantum Electron., 48:12 (2018), 1153–1156   ] |
8
|
|
2017 |
| 5. |
С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 212–215 ; S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth”, Semiconductors, 51:2 (2017), 203–206 |
3
|
|
2016 |
| 6. |
С. В. Ситников, А. В. Латышев, С. С. Косолобов, “Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 607–611 ; S. V. Sitnikov, A. V. Latyshev, S. S. Kosolobov, “Atomic steps on an ultraflat Si(111) surface upon sublimation”, Semiconductors, 50:5 (2016), 596–600 |
1
|
|
2011 |
| 7. |
Е. Е. Родякина, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Дрейф адатомов на поверхности кремния (111) в условиях электромиграции”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011), 151–156 ; E. E. Podyakina, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Drift of adatoms on the (111) silicon surface under electromigration conditions”, JETP Letters, 94:2 (2011), 147–151 |
11
|
|
2010 |
| 8. |
А. К. Ребров, А. И. Сафонов, Н. И. Тимошенко, В. А. Варнек, И. М. Оглезнева, С. С. Косолобов, “Газоструйный синтез серебряно-полимерных пленок”, Прикл. мех. техн. физ., 51:4 (2010), 176–182 ; A. K. Rebrov, A. I. Safonov, N. I. Timoshenko, V. A. Varnek, I. M. Oglezneva, S. S. Kosolobov, “Gas-jet synthesis of silver-polymer films”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 51:4 (2010), 598–603 |
4
|
|
2005 |
| 9. |
С. С. Косолобов, С. А. Цонг, Л. И. Федина, А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, “Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах”, Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005), 149–153 ; S. S. Kosolobov, S. A. Song, L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev, “Instability of the distribution of atomic steps on Si(111) upon submonolayer gold adsorption at high temperatures”, JETP Letters, 81:3 (2005), 117–121 |
9
|
|
Обратная связь: