|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
1. |
Т. М. Бурбаев, Д. С. Козырев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, “Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной
жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах
Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах”, Письма в ЖЭТФ, 98:12 (2013), 926–932 ; T. M. Burbaev, D. S. Kozyrev, N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, “Luminescence of a quasi-two-dimensional electron-hole liquid and excitonic molecules in Si/SiGe/Si heterostructures upon two-electron transitions”, JETP Letters, 98:12 (2013), 823–828 |
13
|
|
2010 |
2. |
Т. М. Бурбаев, М. Н. Гордеев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, Д. В. Шепель, “Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010), 341–345 ; T. M. Burbaev, M. N. Gordeev, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, M. M. Rzaev, N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, V. A. Tsvetkov, D. V. Shepel', “Electron-hole liquid and excitonic molecules in quasi-two-dimensional SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures”, JETP Letters, 92:5 (2010), 305–309 |
20
|
|
2007 |
3. |
Т. М. Бурбаев, Е. А. Бобрик, В. А. Курбатов, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, Ф. Шэффлер, “Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетероструктур”, Письма в ЖЭТФ, 85:7 (2007), 410–413 ; T. M. Burbaev, E. A. Bobrik, V. A. Kurbatov, M. M. Rzaev, N. N. Sibel'din, V. A. Tsvetkov, F. Schäffler, “Electron-hole liquid in strained SiGe layers of silicon heterostructures”, JETP Letters, 85:7 (2007), 331–334 |
22
|
|
1984 |
4. |
Г. А. Асланов, Т. М. Бурбаев, В. А. Курбатов, Н. А. Пенин, “Сечение захвата дырок ионами Hg$^{-}$ в германии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 319–323 |
|
1979 |
5. |
Т. М. Бурбаев, В. А. Курбатов, Н. А. Пенин, “Фазовый метод определения времени жизни неравновесных носителей заряда в фотопроводниках”, Квантовая электроника, 6:10 (1979), 2209–2214 [T. M. Burbaev, V. A. Kurbatov, N. A. Penin, “Phase method for the determination of the lifetime of nonequilibrium carriers in photoconductors”, Sov J Quantum Electron, 9:10 (1979), 1293–1296] |
|