|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной
жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах
Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах
Т. М. Бурбаев, Д. С. Козырев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация:
Исследована
низкотемпературная фотолюминесценция (ФЛ)
гетероструктур Si/Si0.91Ge0.09/Si в ближней
инфракрасной (БИК) и видимой областях спектра. Для структуры с
туннельно прозрачным для электронов слоем SiGe путем сравнения формы
широкой линии люминесценции в видимой области с численной сверткой
спектра излучения электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в
БИК-области показано, что при высоких уровнях возбуждения излучение в
видимой области вызвано двухэлектронными переходами в
квазидвумерной пространственно прямой ЭДЖ. Из совместного анализа
спектров ФЛ в БИК и видимой областях определена энергия связи
квазидвумерного свободного биэкситона в слое SiGe этих
гетероструктур. В структурах с широким туннельно непрозрачным для
электронов SiGe-слоем обнаружена пространственно непрямая
(диполярная) ЭДЖ.
Поступила в редакцию: 08.11.2013
Образец цитирования:
Т. М. Бурбаев, Д. С. Козырев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, “Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной
жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах
Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах”, Письма в ЖЭТФ, 98:12 (2013), 926–932; JETP Letters, 98:12 (2013), 823–828
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3616 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v98/i12/p926
|
|