Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2013, том 98, выпуск 12, страницы 926–932
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X13240132 (Mi jetpl3616) 		 
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах

Т. М. Бурбаев, Д. С. Козырев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
PDF полного текста (371 kB) Список цитирования (13)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X13240132
Аннотация: Исследована низкотемпературная фотолюминесценция (ФЛ) гетероструктур Si/Si$_{0.91}$Ge$_{0.09}$/Si в ближней инфракрасной (БИК) и видимой областях спектра. Для структуры с туннельно прозрачным для электронов слоем SiGe путем сравнения формы широкой линии люминесценции в видимой области с численной сверткой спектра излучения электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в БИК-области показано, что при высоких уровнях возбуждения излучение в видимой области вызвано двухэлектронными переходами в квазидвумерной пространственно прямой ЭДЖ. Из совместного анализа спектров ФЛ в БИК и видимой областях определена энергия связи квазидвумерного свободного биэкситона в слое SiGe этих гетероструктур. В структурах с широким туннельно непрозрачным для электронов SiGe-слоем обнаружена пространственно непрямая (диполярная) ЭДЖ.
Поступила в редакцию: 08.11.2013
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2013, Volume 98, Issue 12, Pages 823–828
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364013250061
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. М. Бурбаев, Д. С. Козырев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, “Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах”, Письма в ЖЭТФ, 98:12 (2013), 926–932; JETP Letters, 98:12 (2013), 823–828
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BurKozSib13}
\by Т.~М.~Бурбаев, Д.~С.~Козырев, Н.~Н.~Сибельдин, М.~Л.~Скориков
\paper Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной
жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах
Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2013
\vol 98
\issue 12
\pages 926--932
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3616}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X13240132}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21197189}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2013
\vol 98
\issue 12
\pages 823--828
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364013250061}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000331999200013}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21865969}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84894338949}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3616
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v98/i12/p926
    • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:181
    PDF полного текста:66
    Список литературы:41
    Первая страница:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024