Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Сабликов Владимир Алексеевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 15
Научных статей: 14

Статистика просмотров:
Эта страница:221
Страницы публикаций:1770
Полные тексты:680
Списки литературы:159
главный научный сотрудник
доктор физико-математических наук (1986)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Дата рождения: 3.05.1941
E-mail:
Сайт: https://www.mathnet.ru/rus/phts5045

Основные темы научной работы

физика инжекционных токов, рекомбинационных волн, фотоакустических и термоволновых явлений

Научная биография:

Родился в г. Ташкенте, окончил там ГУ и работал там же до 1971 г.
С 1971 г. - трудится во Фрязинском ф-ле ИРЭ АН.

Сабликов, Владимир Алексеевич. Биполярные эффекты и инжекционные токи в полупроводниках с глубокими ловушками : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1974. - 177 с. : ил.

Сабликов, Владимир Алексеевич. Рекомбинационно-тепловые и электрогидродинамические волновые процессы в полупроводниках : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1986. - 270 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person37929
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=364
ИСТИНА https://istina.msu.ru/workers/68552580

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. А. А. Суханов, В. А. Сабликов, “Спиновые состояния электронов в двойной квантовой точке в двумерном топологическом изоляторе со спин-орбитальным взаимодействием”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1257–1262  mathnet  elib; A. A. Sukhanov, V. A. Sablikov, “On the spin states of electrons in a double quantum dot in a two-dimensional topological insulator with spin-orbit interaction”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1229–1233 2
2018
2. В. А. Сабликов, Ю. Я. Ткач, “Сингулярность плотности состояний и анизотропия транспорта в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием в параллельном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1477–1481  mathnet  elib; V. A. Sablikov, Yu. Ya. Tkach, “Singularity of the density of states and transport anisotropy in a two-dimensional electron gas with spin-orbit interaction in an in-plane magnetic field”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1581–1585 5
2017
3. Г. Р. Айзин, Н. М. Буйлова, В. А. Волков, Ю. В. Гуляев, А. Е. Каплан, С. А. Михайлов, С. А. Никитов, В. А. Петров, В. А. Сабликов, Н. А. Савостьянова, Р. А. Сурис, А. А. Суханов, Ю. Я. Ткач, А. В. Чаплик, “Памяти Владимира Борисовича Сандомирского (01.02.1929–19.06.2017)”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1725–1726  mathnet  elib
2006
4. В. А. Сабликов, “Межподзонное взаимодействие электронов в переходах между одномерной и двумерной системами”, Письма в ЖЭТФ, 84:7 (2006),  480–484  mathnet; V. A. Sablikov, “Intersubband electron interaction in 1D–2D junctions”, JETP Letters, 84:7 (2006), 404–408  isi  scopus 5
5. З. Д. Квон, Е. А. Галактионов, В. А. Сабликов, А. К. Савченко, Д. А. Щеглов, А. В. Латышев, “Новый режим резонансов обратного рассеяния в квантовом интерферометре малых размеров”, Письма в ЖЭТФ, 83:10 (2006),  530–533  mathnet; Z. D. Kvon, E. A. Galaktionov, V. A. Sablikov, A. K. Savchenko, D. A. Shcheglov, A. V. Latyshev, “New resonant backscattering mode in a small-size quantum interferometer”, JETP Letters, 83:10 (2006), 458–461  isi  scopus 5
2005
6. В. А. Сабликов, В. И. Борисов, А. И. Чмиль, “Эффект выпрямления в квантовом контакте”, Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005),  83–87  mathnet; V. A. Sablikov, V. I. Borisov, A. I. Chmil', “Rectification effect in a quantum contact”, JETP Letters, 81:2 (2005), 75–79  isi  scopus 1
2004
7. З. Д. Квон, В. А. Ткаченко, А. Е. Плотников, В. А. Сабликов, В. Ренo, Ж. К. Портал, “О кондактансе многоконтактной баллистической проволоки”, Письма в ЖЭТФ, 79:1 (2004),  42–45  mathnet; Z. D. Kvon, V. A. Tkachenko, A. E. Plotnikov, V. A. Sablikov, V. Renard, J. C. Portal, “Conductance of a multiterminal ballistic wire”, JETP Letters, 79:1 (2004), 36–39  scopus 4
1997
8. С. В. Поляков, В. А. Сабликов, “Латеральный перенос фотоиндуцированных носителей заряда в гетероструктурах с двумерным электронным газом”, Матем. моделирование, 9:12 (1997),  76–86  mathnet  zmath 6
1989
9. И. В. Карпова, В. А. Сабликов, “О рекомбинационных волнах в условиях эксклюзии”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1293–1296  mathnet
10. А. Н. Васильев, В. А. Сабликов, “Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  33–38  mathnet
1988
11. И. В. Карпова, В. А. Сабликов, С. М. Сыровегин, “Режимы генерации рекомбинационных волн конечной амплитуды”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  609–612  mathnet
1987
12. В. А. Сабликов, “Фототермическое смещение поверхности полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2177–2182  mathnet
1986
13. И. В. Карпова, В. А. Сабликов, С. М. Сыровегин, “Влияние разогрева носителей заряда на условия возбуждения рекомбинационных волн”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  172–176  mathnet
1983
14. В. А. Сабликов, В. Б. Сандомирский, “Теория фотоакустического эффекта в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  81–86  mathnet

2006
15. З. Д. Квон, Е. А. Галактионов, В. А. Сабликов, А. К. Савченко, Д. А. Щеглов, А. В. Латышев, “Поправка”, Письма в ЖЭТФ, 83:12 (2006),  692  mathnet; Z. D. Kvon, E. A. Galaktionov, V. A. Sablikov, A. K. Savchenko, D. A. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Errata”, JETP Letters, 83:12 (2006), 594 1

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024