Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1257–1262
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48134.17 (Mi phts5412) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Спиновые состояния электронов в двойной квантовой точке в двумерном топологическом изоляторе со спин-орбитальным взаимодействием

А. А. Суханов, В. А. Сабликов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (478 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48134.17
Аннотация: Изучены спектры и спиновая структура состояний двух взаимодействующих электронов, локализованных в двойной квантовой точке в двумерном топологическом изоляторе при наличии спин-орбитального взаимодействия. Найдено, что в такой системе может быть реализован синглет-триплетный переход в основном состоянии без магнитного поля. Спин-орбитальное взаимодействие приводит к расщеплению поляризованных триплетных уровней и к антикроссингу при пересечении одного из них с синглетом.
Ключевые слова: топологические изоляторы, спин-орбитальное взаимодействие, синглет-триплетный переход, квантовая точка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 13
Работа выполнена в рамках государственного задания ИРЭ РАН и при поддержке Программы Президиума РАН № 13 “Основы высоких технологий и использование особенностей наноструктур в науках о природе”.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1229–1233
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090215
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Суханов, В. А. Сабликов, “Спиновые состояния электронов в двойной квантовой точке в двумерном топологическом изоляторе со спин-орбитальным взаимодействием”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1257–1262; Semiconductors, 53:9 (2019), 1229–1233
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SukSab19}
\by А.~А.~Суханов, В.~А.~Сабликов
\paper Спиновые состояния электронов в двойной квантовой точке в двумерном топологическом изоляторе со спин-орбитальным взаимодействием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1257--1262
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5412}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48134.17}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129875}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1229--1233
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090215}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5412
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1257
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024