Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1477–1481
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46760.40 (Mi phts5663) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Сингулярность плотности состояний и анизотропия транспорта в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием в параллельном магнитном поле

В. А. Сабликов, Ю. Я. Ткач

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (260 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46760.40
Аннотация: Двумерный электронный газ со спин-орбитальным взаимодействием в параллельном магнитном поле, как известно, образует анизотропную систему с сингулярностью Ван Хова плотности состояний, управляемую магнитным полем. Мы исследовали тензоры проводимости и спиновой восприимчивости, определяющей эффект Эдельштейна, для этой системы и установили, что проводимость и спиновая восприимчивость имеют резкие особенности при изменении магнитного поля или положения уровня Ферми, возникающие при прохождении уровня Ферми через точку сингулярности.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00309
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 1.4
Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (проект № 17-02-00309) и Программы Президиума РАН 1.4. “Актуальные проблемы физики низких температур”.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1581–1585
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120199
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Сабликов, Ю. Я. Ткач, “Сингулярность плотности состояний и анизотропия транспорта в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием в параллельном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1477–1481; Semiconductors, 52:12 (2018), 1581–1585
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SabTka18}
\by В.~А.~Сабликов, Ю.~Я.~Ткач
\paper Сингулярность плотности состояний и анизотропия транспорта в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием в параллельном магнитном поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1477--1481
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5663}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46760.40}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903637}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1581--1585
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120199}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5663
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1477
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024