Латеральный перенос фотоиндуцированных носителей заряда в гетероструктурах с двумерным электронным газом

Рассмотрены неравновесные электронные процессы в полупроводниковых гетероструктурах с двумерным электронным газом. Разработана модель переноса фотоиндуцированных носителей заряда, генерированных при локальном оптическом воздействии. Модель основана на разделении электронной системы гетероструктуры на подсистему электронов в объеме активного слоя и подсистему двумерных электронов, локализованных в квантовой яме. Взаимодействие между этими подсистемами описывается кинетическими коэффициентами, которые вводятся в граничные условия для объемных электронов и в уравнения переноса двумерных электронов. Перенос электронов как в объеме, так и в плоскости квантовой ямы описывается с помощью дрейфо-диффузионного приближения. Наряду с общей постановкой задачи рассмотрен одномерный перенос электронов и дырок поперек активного слоя в условиях однородного освещения, и проведено его численное исследование. Анализ полученных результатов позволил определить условия, при которых поперечные профили концентраций электронов и дырок являются квазиравновесными. В этой ситуации основные характеристики переноса фотовозбужденных носителей заряда вдоль активного слоя могут быть определены в рамках одномерной модели.