|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
1. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, В. С. Левицкий, Е. Е. Терукова, Ю. В. Кожанова, А. С. Агликов, “Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 588–593 ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, V. S. Levitskii, E. E. Terukova, Yu. V. Kozhanova, A. S. Aglikov, “Parameters of ZnO films with $p$-type conductivity deposited by high-frequency magnetron sputtering”, Semiconductors, 51:5 (2017), 559–564 |
3
|
2. |
С. Е. Никитин, А. В. Нащекин, Е. Е. Терукова, И. Н. Трапезникова, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, “Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V$_{2}$O$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 105–110 ; S. E. Nikitin, A. V. Nashchekin, E. E. Terukova, I. N. Trapeznikova, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, “Surface texture of single-crystal silicon oxidized under a thin V$_{2}$O$_{5}$ layer”, Semiconductors, 51:1 (2017), 104–109 |
4
|
|
2016 |
3. |
А. С. Абрамов, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, А. В. Кукин, А. В. Семенов, Е. Е. Терукова, A. С. Титов, С. А. Яковлев, “Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1095–1099 ; A. S. Abramov, D. A. Andronikov, K. V. Emtsev, A. V. Kukin, A. V. Semenov, E. E. Terukova, A. S. Titov, S. A. Yakovlev, “Study of the photoinduced degradation of tandem photovoltaic converters based on $a$-Si:H/$\mu c$-Si:H”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1074–1078 |
4. |
O. B. Gusev, A. V. Belolipetskiy, I. N. Yassievich, A. V. Kukin, E. E. Terukova, E. I. Terukov, “Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 639–642 ; Semiconductors, 50:5 (2016), 627–631 |
1
|
|