Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 639–642 (Mi phts6465)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon

O. B. Guseva, A. V. Belolipetskiya, I. N. Yassievicha, A. V. Kukinb, E. E. Terukovab, E. I. Terukovb

a Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia
b R&D Center of thin-film technology for energetics under Ioffe Physicotechnical Institute, St. Petersburg, Russia
Аннотация: The introduction of nanocrystals plays an important role in improving the stability of the amorphous silicon films and increasing the carrier mobility. Here we report results of the study on the photoluminescence and its dynamics in the films of amorphous hydrogenated silicon containing less than 10% of silicon nanocrystals. The comparing of the obtained experimental results with the calculated probability of the resonant tunneling of the excitons localized in silicon nanocrystals is presented. Thus, it has been estimated that the short lifetime of excitons localized in Si nanocrystal is controlled by the resonant tunneling to the nearest tail state of the amorphous matrix.
Ключевые слова: Amorphous Silicon, Amorphous Matrix, Resonant Tunneling, Silicon Nanocrystals, Tail State.
Поступила в редакцию: 01.10.2015
Принята в печать: 06.10.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 627–631
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050092
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: O. B. Gusev, A. V. Belolipetskiy, I. N. Yassievich, A. V. Kukin, E. E. Terukova, E. I. Terukov, “Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 639–642; Semiconductors, 50:5 (2016), 627–631
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GusBelYas16}
\by O.~B.~Gusev, A.~V.~Belolipetskiy, I.~N.~Yassievich, A.~V.~Kukin, E.~E.~Terukova, E.~I.~Terukov
\paper Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 639--642
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6465}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368887}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 627--631
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050092}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6465
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p639
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024