Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 588–593
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44411.8437
(Mi phts6150)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

М. М. Мездрогинаa, А. Я. Виноградовa, В. С. Левицкийb, Е. Е. Теруковаb, Ю. В. Кожановаc, А. С. Агликовb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация: Уменьшение концентрации дефектов в пленках ZnO, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, дает возможность эффективного легирования акцепторными примесями как в катионной (Li), так и анионной подрешетках (N$^{+}$) и получение дырочного типа проводимости с воспроизводимыми параметрами (концентрации, подвижности) носителей заряда. Легирование азотом производилось с помощью отжига пленок ZnO в атмосфере высокочастотного газового разряда. В результате измерений с помощью эффекта Холла (методика Ван-дер-Пау) показано, что использование тонких слоев Eu, нанесенных на поверхность ZnO-пленок, приводит к увеличению концентрации и подвижности основных носителей заряда. Введение металлических примесей, отличающихся по размерам ионных радиусов (Ag, Au), в катионную подрешетку пленок ZnO с целью компенсации напряжений несоответствия дает возможность увеличения концентрации центров излучательной рекомбинации.
Поступила в редакцию: 25.10.2016
Принята в печать: 03.11.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 559–564
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050177
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, В. С. Левицкий, Е. Е. Терукова, Ю. В. Кожанова, А. С. Агликов, “Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 588–593; Semiconductors, 51:5 (2017), 559–564
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MezVinLev17}
\by М.~М.~Мездрогина, А.~Я.~Виноградов, В.~С.~Левицкий, Е.~Е.~Терукова, Ю.~В.~Кожанова, А.~С.~Агликов
\paper Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 588--593
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6150}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44411.8437}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404907}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 559--564
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050177}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6150
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p588
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024