|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. А. Ромака, P. -F. Rogl, D. Frushart, D. Kaczorowski, “Механизм генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании $n$-ZrNiSn акцепторной примесью Ga”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 311–321   ; V. A. Romaka, P. -F. Rogl, D. Frushart, D. Kaczorowski, “Mechanism of the generation of donor–acceptor pairs in heavily doped $n$-ZrNiSn with the Ga acceptor impurity”, Semiconductors, 52:3 (2018), 294–304 |
1
|
|
2017 |
| 2. |
В. А. Ромака, P. Rogl, В. В. Ромака, D. Kaczorowski, В. Я. Крайовский, Ю. В. Стаднык, А. М. Горынь, “Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Y”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 147–153 ; V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, D. Kaczorowski, V. Ya. Krayovskyy, Yu. V. Stadnyk, A. M. Horyn, “Features of the band structure and conduction mechanisms of $n$-HfNiSn heavily doped with Y”, Semiconductors, 51:2 (2017), 139–145 |
1
|
|
2016 |
| 3. |
В. А. Ромака, P. Rogl, В. В. Ромака, D. Kaczorowski, Ю. В. Стаднык, В. Я. Крайовский, А. М. Горынь, “Особенности механизмов проводимости сильно легированного и компенсированного полупроводника V$_{1-x}$Ti$_{x}$FeSb”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 877–885 ; V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, D. Kaczorowski, Yu. V. Stadnyk, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn, “Features of conductivity mechanisms in heavily doped compensated V$_{1-x}$Ti$_{x}$FeSb semiconductor”, Semiconductors, 50:7 (2016), 860–868 |
5
|
|
Обратная связь: