|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Механизм генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании $n$-ZrNiSn акцепторной примесью Ga
В. А. Ромакаab, P. -F. Roglc, D. Frushartd, D. Kaczorowskie a Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. С. Пидстригача НАН Украины, г. Львов
b Национальный университет ``Львовская политехника''
c Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
d Институт Нееля Национального центра научных исследований,
Гренобль, Франция
e Институт низких температур и структурных исследований им. В. Тшебетовского Польской академии наук, Вроцлав, Польша
Аннотация:
Установлена природа механизма одновременного генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn акцепторной примесью Ga. Найдено такое пространственное расположение атомов в кристаллической решетке ZrNiSn$_{1-x}$Ga$_{x}$, когда скорость движения уровня Ферми $\varepsilon_{\mathrm{F}}$, полученная из расчетов распределения плотности электронных состояний, совпадает с экспериментально установленной из зависимостей $\ln\rho(1/T)$. Показано, что при занятии примесным атомом Ga $(4s^{2}4p^{1})$ позиции 4$b$ атомов Sn $(5s^{2}5p^{2})$ одновременно генерируются как структурные дефекты акцепторной природы, так и донорной в виде вакансий в позиции 4$b$. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.
Поступила в редакцию: 31.05.2017 Принята в печать: 31.05.2017
Образец цитирования:
В. А. Ромака, P. -F. Rogl, D. Frushart, D. Kaczorowski, “Механизм генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании $n$-ZrNiSn акцепторной примесью Ga”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 311–321; Semiconductors, 52:3 (2018), 294–304
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5890 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p311
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 9 |
|