Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Y

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах: $T$ = 80–400 K, $N_{A}^{Y}\approx$ 1.9 $\cdot$ 10$^{20}$–5.7$^{21}$ см$^{-3}$ ($x$ = 0.01–0.30) и $H\le$ 10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения $\sim$1% атомов Ni из позиции Hf (4$a$) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4$a$ атомами Y. Результаты расчета электронной структуры Hf$_{1-x}$Y$_{x}$NiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.