Особенности механизмов проводимости сильно легированного и компенсированного полупроводника V$_{1-x}$Ti$_{x}$FeSb

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические и кинетические характеристики полупроводника $n$-VFeSb, сильно легированного акцепторной примесью Ti, в диапазонах: $T$ = 4.2–400 K, $N^{\mathrm{Ti}}_{A}\approx$ 9.5 $\cdot$ 10$^{19}$–3.6 $\cdot$ 10$^{21}$ см$^{-3}$ ($x$ = 0.005–0.20). Установлен сложный механизм генерирования структурных дефектов акцепторной и донорной природы. Показано, что наличие вакансий в позиции атомов Sb в $n$-VFeSb порождает структурные дефекты донорной природы (“априорное легирование”). Введение в VFeSb примеси Ti путем замещения V одновременно приводит к генерированию структурных дефектов акцепторной природы, уменьшению и ликвидации дефектов донорной природы на участке концентраций 0 $\le x\le$ 0.03 при занятии атомами Sb вакансий, генерированию дефектов донорной природы в результате появления и увеличения числа вакансий. Полученный результат лежит в основе технологии получения новых термоэлектрических материалов на основе $n$-VFeSb. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.