|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
О. М. Сресели, М. А. Елистратова, Д. Н. Горячев, Е. В. Берегулин, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, А. В. Ершов, “Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1112–1116   ; O. M. Sreseli, M. A. Elistratova, D. N. Goryachev, E. V. Beregulin, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, A. V. Ershov, “Electrical and photoelectric properties of $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ and $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ multilayer nanostructures on $p$-Si substrates annealed at various temperatures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1315–1319 |
1
|
|
2018 |
| 2. |
М. П. Тепляков, О. С. Кен, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, “Транспорт и фоточувствительность в структурах: композитный слой из наночастиц кремния и золота на $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1071–1075 ; M. P. Teplyakov, O. S. Ken, D. N. Goryachev, O. M. Sreseli, “Transport and photosensitivity in structures: a composite layer of silicon and gold nanoparticles on $p$-Si”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1193–1197 |
3
|
| 3. |
М. А. Елистратова, Д. С. Полоскин, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 921–925 ; M. A. Elistratova, D. S. Poloskin, D. N. Goryachev, I. B. Zakharova, O. M. Sreseli, “Dynamics of changes in the photoluminescence of porous silicon after gamma irradiation”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1051–1055 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
М. А. Елистратова, Н. М. Романов, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 507–511 ; M. A. Elistratova, N. M. Romanov, D. N. Goryachev, I. B. Zakharova, O. M. Sreseli, “Effect of gamma irradiation on the photoluminescence of porous silicon”, Semiconductors, 51:4 (2017), 483–487 |
7
|
|
1991 |
| 5. |
Л. В. Беляков, В. И. Ваксман, Д. Н. Горячев, А. В. Кац, Б. Л. Румянцев, И. С. Спевак, О. М. Сресели, “Резонансные эффекты, обусловленные возбуждением ПЭВ при почти
нормальном падении пучка света на синусоидальную поверхность”, ЖТФ, 61:6 (1991), 100–105  |
|
1990 |
| 6. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Д. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Узкополосные селективные фотоприемники на основе
структур Шоттки”, Письма в ЖТФ, 16:6 (1990), 72–75 |
|
1989 |
| 7. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Т. Л. Макарова, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе
металл$-$полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 1966–1970 |
| 8. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении
«медленных» поверхностных электромагнитных волн”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 461–465 |
| 9. |
Д. Н. Горячев, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Поляризационная фоточувствительность барьеров
электролит$-$CdGeP$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 312–315 |
|
1988 |
| 10. |
Л. В. Беляков, Н. Н. Горобей, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе
диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 906–910 |
| 11. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Резонансная электролюминесценция структуры металл$-$полупроводник
с гофрированной поверхностью”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 757–760 |
|
1987 |
| 12. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, В. И. Емельянов, В. Н. Семиногов, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на неметаллических периодических структурах”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 693–697 |
| 13. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Фотоответ структуры металл–полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом TE-поляризации”, Письма в ЖТФ, 13:5 (1987), 261–265 |
|
1986 |
| 14. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, А. В. Саченко, О. М. Сресели, “Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 876–880 |
| 15. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Влияние оптических констант полупроводника на положение поляритонного пика фотоответа диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1145–1149 |
|
1985 |
| 16. |
Е. Н. Арутюнов, Л. В. Беляков, А. Н. Васильев, Д. Н. Горячев, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, И. А. Соколов, О. М. Сресели, “Исследование особенностей плавления GaAs в условиях
двухдлинноволнового лазерного отжига”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2144–2148 |
| 17. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Фотоответ структуры полупроводник – металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985), 1162–1165 |
|
1984 |
| 18. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, “Исследование оптических переходов в полупроводниках
фотоэлектрохимическим методом”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 752–755 |
|
1983 |
| 19. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, “Запись голограмм на металле методом фотохимического травления”, Письма в ЖТФ, 9:8 (1983), 471–474 |
|
Обратная связь: