|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. В. Кузьминова, Н. А. Куликов, В. Д. Попов, “Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с $p$-каналом”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 729–733   ; A. V. Kuzminova, N. A. Kulikov, V. D. Popov, “Investigation into radiation effects in a $p$-channel MOS transistor”, Semiconductors, 54:8 (2020), 877–881 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
Н. А. Куликов, В. Д. Попов, “Влияние электрического режима и $\gamma$-облучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ в МОП-транзисторе”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 115–118 ; N. A. Kulikov, V. D. Popov, “Effect of the electric mode and $\gamma$ irradiation on surface-defect formation at the Si–SiO$_2$ interface in a MOS transistor”, Semiconductors, 53:1 (2019), 110–113 |
4
|
|
2016 |
| 3. |
В. Д. Попов, “Два этапа поверхностного дефектообразования в МОП структуре при низкоинтенсивном воздействии $\gamma$-излучения”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 354–356 ; V. D. Popov, “Two stages of surface-defect formation in a MOS structure under low-dose rate $\gamma$ irradiation”, Semiconductors, 50:3 (2016), 349–351 |
4
|
|
Обратная связь: