Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 729–733
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49643.9397
(Mi phts5188)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с $p$-каналом

А. В. Кузьминова, Н. А. Куликов, В. Д. Попов

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация: Рассматривается воздействие $\gamma$-излучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ в МОП-транзисторе с $p$-каналом в пассивном режиме. Наблюдалось несколько процессов поверхностного дефектообразования. Показана роль молекулярного водорода в подзатворном оксиде МОП-транзистора и “горячих” электронов, образующихся в приповерхностной области кремния.
Ключевые слова: МОП-транзистор, $p$-канал, $\gamma$-излучение, молекулярный водород, “горячие” электроны.
Поступила в редакцию: 18.03.2020
Исправленный вариант: 31.03.2020
Принята в печать: 31.03.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 877–881
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080138
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Кузьминова, Н. А. Куликов, В. Д. Попов, “Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с $p$-каналом”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 729–733; Semiconductors, 54:8 (2020), 877–881
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzKulPop20}
\by А.~В.~Кузьминова, Н.~А.~Куликов, В.~Д.~Попов
\paper Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с $p$-каналом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 729--733
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5188}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49643.9397}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800745}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 877--881
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080138}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5188
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p729
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024