|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика полупроводниковых приборов
Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с $p$-каналом
А. В. Кузьминова, Н. А. Куликов, В. Д. Попов Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация:
Рассматривается воздействие $\gamma$-излучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ в МОП-транзисторе с $p$-каналом в пассивном режиме. Наблюдалось несколько процессов поверхностного дефектообразования. Показана роль молекулярного водорода в подзатворном оксиде МОП-транзистора и “горячих” электронов, образующихся в приповерхностной области кремния.
Ключевые слова:
МОП-транзистор, $p$-канал, $\gamma$-излучение, молекулярный водород, “горячие” электроны.
Поступила в редакцию: 18.03.2020 Исправленный вариант: 31.03.2020 Принята в печать: 31.03.2020
Образец цитирования:
А. В. Кузьминова, Н. А. Куликов, В. Д. Попов, “Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с $p$-каналом”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 729–733; Semiconductors, 54:8 (2020), 877–881
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5188 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p729
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 50 | PDF полного текста: | 22 |
|