Два этапа поверхностного дефектообразования в МОП структуре при низкоинтенсивном воздействии $\gamma$-излучения

Приводятся результаты экспериментального исследования образования поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ при мощностях дозы $\gamma$-излучения $P$ = 0.1 и 1.0 рад/с. Установлено, что имеют место два этапа процесса образования поверхностных дефектов. Проведен анализ механизмов дефектообразования.