|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние электрического режима и $\gamma$-облучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ в МОП-транзисторе
Н. А. Куликов, В. Д. Попов Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация:
Приводятся результаты экспериментального исследования процесса образования поверхностных дефектов при воздействии гамма-излучения с мощностью дозы $P$ = 0.1 рад(Si)/с на МОП-транзисторы с $n$-каналом в пассивном и активном режимах. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования. Предлагается качественная модель, объясняющая влияние напряжения на стоке транзистора на процесс дефектообразования.
Поступила в редакцию: 26.04.2018 Исправленный вариант: 25.06.2018
Образец цитирования:
Н. А. Куликов, В. Д. Попов, “Влияние электрического режима и $\gamma$-облучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ в МОП-транзисторе”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 115–118; Semiconductors, 53:1 (2019), 110–113
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5622 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p115
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 7 |
|