Влияние электрического режима и $\gamma$-облучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ в МОП-транзисторе

Приводятся результаты экспериментального исследования процесса образования поверхностных дефектов при воздействии гамма-излучения с мощностью дозы $P$ = 0.1 рад(Si)/с на МОП-транзисторы с $n$-каналом в пассивном и активном режимах. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования. Предлагается качественная модель, объясняющая влияние напряжения на стоке транзистора на процесс дефектообразования.