|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. В. Лебедев, “Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ на границе с растворами электролитов. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 587–630   ; M. V. Lebedev, “Modification of the atomic and electronic structure of III–V semiconductor surfaces at interfaces with electrolyte solutions (Review)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 699–741 |
15
|
|
2019 |
| 2. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Л. Шахмин, О. В. Рахимова, П. А. Дементьев, И. В. Седова, “Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 908–916 ; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, A. L. Shakhmin, O. V. Rakhimova, P. A. Dementev, I. V. Sedova, “Development of the physicochemical properties of the GaSb(100) surface in ammonium sulfide solutions”, Semiconductors, 53:7 (2019), 892–900 |
6
|
|
2017 |
| 3. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, С. И. Павлов, И. В. Седова, “Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1138–1145 ; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, S. I. Pavlov, I. V. Sedova, “Effect of ammonium-sulfide solvent on the surface passivation of GaSb (100)”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1093–1100 |
4
|
|
Обратная связь: