Аннотация:
Обобщены экспериментальные и теоретические результаты последних лет по модификации атомной и электронной структуры поверхности различных полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ растворами электролитов. Выявлена взаимосвязь между химическими реакциями, протекающими на границах полупроводник/электролит, процессами переноса заряда между полупроводником и раствором, а также сопутствующими изменениями атомной и электронной структуры поверхности полупроводника. Показаны примеры модификации электронных характеристик и свойств полупроводниковых приборов и наноструктур при взаимодействии с растворами электролитов.
Ключевые слова:полупроводниковые соединения А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$, поверхность, модификация поверхности, пассивация, электронная структура, граница полупроводник/электролит.
Поступила в редакцию: 05.03.2020 Исправленный вариант: 09.03.2020 Принята в печать: 09.03.2020
Образец цитирования:
М. В. Лебедев, “Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ на границе с растворами электролитов. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 587–630; Semiconductors, 54:7 (2020), 699–741
\RBibitem{Leb20}
\by М.~В.~Лебедев
\paper Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ на границе с растворами электролитов. Обзор
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 7
\pages 587--630
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5204}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.07.49502.9390}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43808035}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 7
\pages 699--741
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620070064}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5204
https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i7/p587
Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
E. Annelise Bergeron, F. Sfigakis, A. Elbaroudy, A. W. M. Jordan, F. Thompson, George Nichols, Y. Shi, Man Chun Tam, Z. R. Wasilewski, J. Baugh, “High transparency induced superconductivity in field effect two-dimensional electron gases in undoped InAs/AlGaSb surface quantum wells”, Applied Physics Letters, 124:22 (2024)
Mikhail V. Lebedev, Tatiana V. Lvova, Irina V. Sedova, Yuriy M. Serov, Sergey V. Sorokin, Aleksandra V. Koroleva, Evgeny V. Zhizhin, Sergey V. Lebedev, “Al Ga1–As(100) (x ∼ 0.3) surfaces treated with aqueous sodium sulfide solution: Chemistry and electronic structure”, Materials Science in Semiconductor Processing, 181 (2024), 108604
Iryna Levchenko, Serhii Kryvyi, Eliana Kamińska, Julita Smalc-Koziorowska, Szymon Grzanka, Jacek Kacperski, Grzegorz Nowak, Sławomir Kret, Łucja Marona, Piotr Perlin, “Pros and Cons of (NH4)2S Solution Treatment of p-GaN/Metallization Interface: Perspectives for Laser Diode”, Materials, 17:18 (2024), 4520
Ulyana M. Matveyenka, Elena A. Skryleva, Elena N. Abramova, Roman Yu. Kozlov, Pavel V. Pavlov, Ivan V. Sidelnikov, Olesya S. Pavlova, “Effect of chemical bond polarity on wafer and cleavage surface oxidation for GaAs, GaSb, InAs and InSb single crystals”, MoEM, 10:3 (2024), 167
E. Annelise Bergeron, F. Sfigakis, Y. Shi, George Nichols, P. C. Klipstein, A. Elbaroudy, Sean M. Walker, Z. R. Wasilewski, J. Baugh, “Field effect two-dimensional electron gases in modulation-doped InSb surface quantum wells”, Applied Physics Letters, 122:1 (2023)
M. E. Levinshtein, B. A. Matveev, N. Dyakonova, “Low Frequency Noise and Resistance in Non-Passivated InAsSbP/InAs based Photodiodes in the Presence of Atmosphere with Ethanol Vapor”, Tech. Phys. Lett., 49:S3 (2023), S275
M. V. Lebedev, T. V. Lvova, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. V. Koroleva, E. V. Zhizhin, S. V. Lebedev, “Correlation of the Electronic and Atomic Structure at Passivated n-InP(100) Surfaces”, Semiconductors, 57:5 (2023), 244
Mikhail V. Lebedev, Peter A. Dementev, Tatiana V. Lvova, Vladimir L. Berkovits, “Chemical modification of the GaP(0 0 1) surface electric field with sulfide solutions”, Materials Science and Engineering: B, 291 (2023), 116370
V. V. Filippov, S. E. Luzyanin, K. A. Bogonosov, “Features of the Formation of Ni–GaAs Contacts Obtained by Electrolysis and Their Electrophysical Properties”, Tech. Phys., 68:2 (2023), 27
Wiktoria Lipińska, Katarzyna Grochowska, Jakub Karczewski, Emerson Coy, Katarzyna Siuzdak, “Electrocatalytic oxidation of methanol, ethylene glycol and glycerine in alkaline media on TiO2 nanotubes decorated with AuCu nanoparticles for an application in fuel cells”, J Mater Sci, 57:28 (2022), 13345
Mikhail V. Lebedev, Tatiana V. Lvova, Alexander N. Smirnov, Valery Yu. Davydov, Aleksandra V. Koroleva, Evgeny V. Zhizhin, Sergey V. Lebedev, “Abnormal electronic structure of chemically modified n-InP(100) surfaces”, J. Mater. Chem. C, 10:6 (2022), 2163
Takafumi Fujita, Ryota Hayashi, Makoto Kohda, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Junsaku Nitta, Andreas D. Wieck, Akira Oiwa, “Distinguishing persistent effects in an undoped GaAs/AlGaAs quantum well by top-gate-dependent illumination”, Journal of Applied Physics, 129:23 (2021)
N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan, I. V. Brytavskyi, D. V. Tarasevich, V. V. Shugarova, “The influence of sulphide surface modification regimes on the mechanism of currents in p-n junctions based on GaAs”, J. Phys. Stud., 25:3 (2021)
René St-Onge, Jonathan Vermette, Walid M. Hassen, Jan J. Dubowski, “Formation of extraordinary density alkanethiol self-assembled monolayers on surfaces of digitally photocorroded (001) GaAs/AlGaAs nanoheterostructures”, Applied Physics Letters, 118:22 (2021)
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, “Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 895–900; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, “Modification of the electronic properties of the $n$-InP(100) surface with sulfide solutions”, Semiconductors, 55:11 (2021), 844–849
Lassi Hällström, Camilla Tossi, Ilkka Tittonen, “Computational Study Revealing the Influence of Surface Phenomena in p-GaAs Water-Splitting Cells”, J. Phys. Chem. C, 125:23 (2021), 12478