Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 7, страницы 587–630
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.07.49502.9390
(Mi phts5204)
 

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Обзоры

Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ на границе с растворами электролитов. Обзор

М. В. Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Обобщены экспериментальные и теоретические результаты последних лет по модификации атомной и электронной структуры поверхности различных полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ растворами электролитов. Выявлена взаимосвязь между химическими реакциями, протекающими на границах полупроводник/электролит, процессами переноса заряда между полупроводником и раствором, а также сопутствующими изменениями атомной и электронной структуры поверхности полупроводника. Показаны примеры модификации электронных характеристик и свойств полупроводниковых приборов и наноструктур при взаимодействии с растворами электролитов.
Ключевые слова: полупроводниковые соединения А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$, поверхность, модификация поверхности, пассивация, электронная структура, граница полупроводник/электролит.
Поступила в редакцию: 05.03.2020
Исправленный вариант: 09.03.2020
Принята в печать: 09.03.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 7, Pages 699–741
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620070064
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Лебедев, “Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ на границе с растворами электролитов. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 587–630; Semiconductors, 54:7 (2020), 699–741
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Leb20}
\by М.~В.~Лебедев
\paper Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ на границе с растворами электролитов. Обзор
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 7
\pages 587--630
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5204}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.07.49502.9390}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43808035}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 7
\pages 699--741
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620070064}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5204
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i7/p587
  • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    1. E. Annelise Bergeron, F. Sfigakis, A. Elbaroudy, A. W. M. Jordan, F. Thompson, George Nichols, Y. Shi, Man Chun Tam, Z. R. Wasilewski, J. Baugh, “High transparency induced superconductivity in field effect two-dimensional electron gases in undoped InAs/AlGaSb surface quantum wells”, Applied Physics Letters, 124:22 (2024)  crossref
    2. Mikhail V. Lebedev, Tatiana V. Lvova, Irina V. Sedova, Yuriy M. Serov, Sergey V. Sorokin, Aleksandra V. Koroleva, Evgeny V. Zhizhin, Sergey V. Lebedev, “Al Ga1–As(100) (x ∼ 0.3) surfaces treated with aqueous sodium sulfide solution: Chemistry and electronic structure”, Materials Science in Semiconductor Processing, 181 (2024), 108604  crossref
    3. Iryna Levchenko, Serhii Kryvyi, Eliana Kamińska, Julita Smalc-Koziorowska, Szymon Grzanka, Jacek Kacperski, Grzegorz Nowak, Sławomir Kret, Łucja Marona, Piotr Perlin, “Pros and Cons of (NH4)2S Solution Treatment of p-GaN/Metallization Interface: Perspectives for Laser Diode”, Materials, 17:18 (2024), 4520  crossref
    4. Ulyana M. Matveyenka, Elena A. Skryleva, Elena N. Abramova, Roman Yu. Kozlov, Pavel V. Pavlov, Ivan V. Sidelnikov, Olesya S. Pavlova, “Effect of chemical bond polarity on wafer and cleavage surface oxidation for GaAs, GaSb, InAs and InSb single crystals”, MoEM, 10:3 (2024), 167  crossref
    5. E. Annelise Bergeron, F. Sfigakis, Y. Shi, George Nichols, P. C. Klipstein, A. Elbaroudy, Sean M. Walker, Z. R. Wasilewski, J. Baugh, “Field effect two-dimensional electron gases in modulation-doped InSb surface quantum wells”, Applied Physics Letters, 122:1 (2023)  crossref
    6. M. E. Levinshtein, B. A. Matveev, N. Dyakonova, “Low Frequency Noise and Resistance in Non-Passivated InAsSbP/InAs based Photodiodes in the Presence of Atmosphere with Ethanol Vapor”, Tech. Phys. Lett., 49:S3 (2023), S275  crossref
    7. M. V. Lebedev, T. V. Lvova, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. V. Koroleva, E. V. Zhizhin, S. V. Lebedev, “Correlation of the Electronic and Atomic Structure at Passivated n-InP(100) Surfaces”, Semiconductors, 57:5 (2023), 244  crossref
    8. Mikhail V. Lebedev, Peter A. Dementev, Tatiana V. Lvova, Vladimir L. Berkovits, “Chemical modification of the GaP(0 0 1) surface electric field with sulfide solutions”, Materials Science and Engineering: B, 291 (2023), 116370  crossref
    9. V. V. Filippov, S. E. Luzyanin, K. A. Bogonosov, “Features of the Formation of Ni–GaAs Contacts Obtained by Electrolysis and Their Electrophysical Properties”, Tech. Phys., 68:2 (2023), 27  crossref
    10. Wiktoria Lipińska, Katarzyna Grochowska, Jakub Karczewski, Emerson Coy, Katarzyna Siuzdak, “Electrocatalytic oxidation of methanol, ethylene glycol and glycerine in alkaline media on TiO2 nanotubes decorated with AuCu nanoparticles for an application in fuel cells”, J Mater Sci, 57:28 (2022), 13345  crossref
    11. Mikhail V. Lebedev, Tatiana V. Lvova, Alexander N. Smirnov, Valery Yu. Davydov, Aleksandra V. Koroleva, Evgeny V. Zhizhin, Sergey V. Lebedev, “Abnormal electronic structure of chemically modified n-InP(100) surfaces”, J. Mater. Chem. C, 10:6 (2022), 2163  crossref
    12. Takafumi Fujita, Ryota Hayashi, Makoto Kohda, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Junsaku Nitta, Andreas D. Wieck, Akira Oiwa, “Distinguishing persistent effects in an undoped GaAs/AlGaAs quantum well by top-gate-dependent illumination”, Journal of Applied Physics, 129:23 (2021)  crossref
    13. N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan, I. V. Brytavskyi, D. V. Tarasevich, V. V. Shugarova, “The influence of sulphide surface modification regimes on the mechanism of currents in p-n junctions based on GaAs”, J. Phys. Stud., 25:3 (2021)  crossref
    14. René St-Onge, Jonathan Vermette, Walid M. Hassen, Jan J. Dubowski, “Formation of extraordinary density alkanethiol self-assembled monolayers on surfaces of digitally photocorroded (001) GaAs/AlGaAs nanoheterostructures”, Applied Physics Letters, 118:22 (2021)  crossref
    15. М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, “Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 895–900  mathnet  crossref; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, “Modification of the electronic properties of the $n$-InP(100) surface with sulfide solutions”, Semiconductors, 55:11 (2021), 844–849  mathnet  crossref
    16. Lassi Hällström, Camilla Tossi, Ilkka Tittonen, “Computational Study Revealing the Influence of Surface Phenomena in p-GaAs Water-Splitting Cells”, J. Phys. Chem. C, 125:23 (2021), 12478  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:97
    PDF полного текста:79
     
      Обратная связь:
    math-net2025_01@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025