|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
1. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1106–1111 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, “Combination of reactive-ion etching and chemical etching as a method for optimizing the surface relief on AlGaInN heterostructures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1310–1314 |
1
|
2. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Модификация рельефа $n$-поверхности AlGaInN-светодиодов изменением состава газовой смеси при реактивном ионном травлении”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 564–569 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, “Modification of the $n$-surface profile of AlGaInN LEDs by changing the gas-mixture composition during reactive ion etching”, Semiconductors, 54:6 (2020), 672–676 |
2
|
|
2019 |
3. |
Л. К. Марков, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, Г. В. Иткинсон, О. В. Осипов, “Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1562–1567 ; L. K. Markov, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, G. V. Itkinson, O. V. Osipov, “High-voltage alingan LED chips”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1529–1534 |
|
2018 |
4. |
С. А. Гуревич, М. В. Горохов, В. М. Кожевин, М. В. Кукушкин, В. С. Левицкий, Л. К. Марков, Д. А. Явсин, “Формирование аморфных наночастиц углерода методом лазерного электродиспергирования”, Письма в ЖТФ, 44:5 (2018), 57–62 ; S. A. Gurevich, M. V. Gorokhov, V. M. Kozhevin, M. V. Kukushkin, V. S. Levitskii, L. K. Markov, D. A. Yavsin, “Formation of amorphous carbon nanoparticles by the laser electrodispersion method”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 207–209 |
1
|
|
2016 |
5. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, Д. А. Закгейм, С. И. Павлов, “Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 1001–1006 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, M. V. Kukushkin, D. A. Zakgeim, S. I. Pavlov, “Technique for forming ITO films with a controlled refractive index”, Semiconductors, 50:7 (2016), 984–988 |
7
|
|