|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, Ш. Н. Усмонов, У. П. Асатова, “Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 23–26   ; A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, Sh. N. Usmonov, U. P. Asatova, “Peculiarities of the current–voltage characteristic of $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$ heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1124–1127 |
1
|
|
2018 |
| 2. |
А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, Ш. Н. Усмонов, К. А. Амонов, “Эффект инжекционного обеднения в $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1066–1070 ; A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, Sh. N. Usmonov, K. A. Amonov, “Effect of injection depletion in $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) heterostructure”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1188–1192 |
2
|
|
2016 |
| 3. |
С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, М. У. Каланов, Ш. Н. Усмонов, В. М. Рустамова, А. Й. Бобоев, “Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 60–66 ; S. Zaynabidinov, A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, M. U. Kalanov, Sh. N. Usmonov, V. M. Rustamova, A. Boboev, “Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ epitaxial films”, Semiconductors, 50:1 (2016), 59–65 |
4
|
|
Обратная связь: