Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$

Исследована вольт-амперная характеристика гетероструктур $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.05). Показано, что при малых напряжениях ($V<$ 0.5 V) вольт-амперная характеристика описывается экспоненциальным законом $I=I_{0}\exp(qV/ckT)$, а при больших (от 0.5 до 1.8 V) – степенными законами $I=AV^{m}$ с разными значениями коэффициента $A$ и показателя степени $m$ при различных напряжениях. При более высоких напряжениях (от 2.10 до 2.48 V) наблюдается сублинейный участок, который описывается законом $V=V_{0}\exp (Jd/2kT\mu_{p}N_{t})$.