|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Эффект инжекционного обеднения в $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) гетероструктуре
А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, Ш. Н. Усмонов, К. А. Амонов Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Аннотация:
Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктур $p$–Si-$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) при различных температурах. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики таких структур имеют участок сублинейного роста тока с напряжением типа $V=V_{0}\exp(Jad)$. Оценены концентрации глубоких примесей, ответственных за появление сублинейного участка вольт-амперной характеристики. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения.
Поступила в редакцию: 16.08.2017 Принята в печать: 28.10.2017
Образец цитирования:
А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, Ш. Н. Усмонов, К. А. Амонов, “Эффект инжекционного обеднения в $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1066–1070; Semiconductors, 52:9 (2018), 1188–1192
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5740 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1066
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 10 |
|