Эффект инжекционного обеднения в $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) гетероструктуре

Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктур $p$–Si-$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) при различных температурах. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики таких структур имеют участок сублинейного роста тока с напряжением типа $V=V_{0}\exp(Jad)$. Оценены концентрации глубоких примесей, ответственных за появление сублинейного участка вольт-амперной характеристики. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения.