|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Т. С. Аргунова, Ж. В. Гудкина, М. Ю. Гуткин, Д. В. Зайцев, А. Е. Калмыков, А. В. Мясоедов, Е. Д. Назарова, П. Е. Панфилов, Л. М. Сорокин, “Исследование структурных особенностей дентина методами микротомографии и просвечивающей электронной микроскопии”, ЖТФ, 90:9 (2020), 1449–1461   ; T. S. Argunova, Zh. V. Gudkina, M. Yu. Gutkin, D. V. Zaytsev, A. E. Kalmykov, A. V. Myasoedov, E. D. Nazarova, P. E. Panfilov, L. M. Sorokin, “Study of dentin structural features by computed microtomography and transmission electron microscopy”, Tech. Phys., 65:9 (2020), 1391–1402 |
1
|
| 2. |
А. В. Мясоедов, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. Е. Калмыков, Л. М. Сорокин, В. В. Лундин, “ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 50–54 ; A. V. Myasoedov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. E. Kalmykov, L. M. Sorokin, V. V. Lundin, “A TEM study of AlN–AlGaN–GaN multilayer buffer structures on silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 991–995 |
1
|
| 3. |
А. В. Мясоедов, Д. В. Нечаев, В. В. Ратников, А. Е. Калмыков, Л. М. Сорокин, В. Н. Жмерик, “Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 26–30 ; A. V. Myasoedov, D. V. Nechaev, V. V. Ratnikov, A. E. Kalmykov, L. M. Sorokin, V. N. Zhmerik, “An increase of threading dislocations filtering efficiency in AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates with faceted surface morphology during a growth by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 543–547 |
1
|
| 4. |
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, А. В. Мясоедов, О. А. Кошелев, В. Н. Жмерик, “Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 36–39 ; V. V. Ratnikov, D. V. Nechaev, A. V. Myasoedov, O. A. Koshelev, V. N. Zhmerik, “Decreasing density of grown-in dislocations in AlN/$c$-sapphire templates grown by plasma-activated molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 389–392 |
|
2019 |
| 5. |
Л. М. Сорокин, М. Ю. Гуткин, А. В. Мясоедов, А. Е. Калмыков, В. Н. Бессолов, С. А. Кукушкин, “Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3$C$-SiC”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2317–2321 ; L. M. Sorokin, M. Yu. Gutkin, A. V. Myasoedov, A. E. Kalmykov, V. N. Bessolov, S. A. Kukushkin, “Dislocation reactions in a semipolar gallium nitride layer grown on a vicinal Si(001) substrate using aluminum nitride and 3$C$–SiC buffer layers”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2316–2320 |
1
|
|
2018 |
| 6. |
А. Е. Калмыков, А. В. Мясоедов, Л. М. Сорокин, “Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)”, Письма в ЖТФ, 44:20 (2018), 53–61 ; A. E. Kalmykov, A. V. Myasoedov, L. M. Sorokin, “Asymmetry of the defect structure of semipolar GaN grown on Si(001)”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 926–929 |
1
|
|
Обратная связь: