Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 20, страницы 53–61
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.20.46806.17452 (Mi pjtf5666) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)

А. Е. Калмыков, А. В. Мясоедов, Л. М. Сорокин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (445 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.20.46806.17452
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована дефектная структура толстого ($\sim$15 $\mu$m) полуполярного слоя нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на кремниевой подложке ориентации (001) с использованием буферных слоев. Выявлена и проанализирована асимметрия дефектной структуры слоя. Обсуждается влияние асимметрии на скорость убывания плотности прорастающих дислокаций в эпитаксиальном слое в ходе его роста.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62117X0018
Исследования методом ПЭМ выполнены с использованием оборудования федерального ЦКП “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях”, поддержанного Министерством образования и науки РФ (уникальный идентификатор проекта RFMEFI62117X0018).
Поступила в редакцию: 05.07.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 10, Pages 926–929
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018100267
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Калмыков, А. В. Мясоедов, Л. М. Сорокин, “Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)”, Письма в ЖТФ, 44:20 (2018), 53–61; Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 926–929
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KalMyaSor18}
\by А.~Е.~Калмыков, А.~В.~Мясоедов, Л.~М.~Сорокин
\paper Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 20
\pages 53--61
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5666}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.20.46806.17452}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36905901}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 10
\pages 926--929
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018100267}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5666
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i20/p53
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024