|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. Г. Верхолетов, И. А. Прудаев, “Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL$_2$”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 693–698   ; M. G. Verkholetov, I. A. Prudaev, “Effect of barrier contacts on carrier transport in homogeneous GaAs structures doped with deep Cr and EL$_2$ centers”, Semiconductors, 55:9 (2021), 705–709 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, “Нелинейность вольт-амперных характеристик однородных компенсированных детекторных структур из GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 37–40 ; I. A. Prudaev, M. G. Verkholetov, “Nonlinearity of current-voltage characteristics of homogeneous compensated GaAs detector structures”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 566–569 |
2
|
|
2018 |
| 3. |
И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, А. Д. Королёва, О. П. Толбанов, “Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 21–29 ; I. A. Prudaev, M. G. Verkholetov, A. D. Koroleva, O. P. Tolbanov, “Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche $S$-diodes based on GaAs”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 465–468 |
12
|
|
Обратная связь: