Нелинейность вольт-амперных характеристик однородных компенсированных детекторных структур из GaAs

Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для детекторов ионизирующих излучений. Исследованы арсенид-галлиевые структуры резистивного типа с барьерами Шоттки и с равномерным распределением глубокого акцептора хрома и глубокого донорного EL2-центра. Путем решения уравнений непрерывности и Пуассона с использованием коммерческого пакета проектирования обнаружен эффект обеднения объема детекторных структур по электронам с ростом поданного напряжения. Установлено, что нелинейность вольт-амперных характеристик структур обусловлена сменой типа проводимости при переходе от равновесного к неравновесному состоянию. При этом структуры с исходным (равновесным) дырочным типом проводимости имеют вольт-амперные характеристики, близкие к линейным.