|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs
И. А. Прудаевa, М. Г. Верхолетовb, А. Д. Королёваc, О. П. Толбановa a Томский государственный университет
b Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
c ПАО "Радиофизика", г. Москва
Аннотация:
Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных $S$-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры $n^{+}$–$\pi$–$\nu$–$n$-типа с диффузионным распределением глубокого акцептора железа. В ходе решения уравнений непрерывности и Пуассона с использованием коммерческого пакета проектирования обнаружено влияние инжекции электронов на напряжение лавинного пробоя, а также эффект расширения области пространственного заряда за счет захвата лавинных дырок на отрицательные ионы железа в $\pi$-области. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что $S$-образная вольт-амперная характеристика диффузионных лавинных $S$-диодов необъяснима с позиций ранее предложенного механизма захвата лавинных дырок на глубокие уровни железа.
Поступила в редакцию: 15.02.2018
Образец цитирования:
И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, А. Д. Королёва, О. П. Толбанов, “Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 21–29; Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 465–468
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5788 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i11/p21
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 24 | PDF полного текста: | 13 |
|