Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL$_2$

Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорные EL$_2$ центры и акцепторные уровни Cr. Исследованы структуры в трех конфигурациях: $p$–$i$–$n$-, $n$–$i$–$n$- и $p$–$i$–$p$-типов. Решалась система дифференциальных уравнений для температуры носителей заряда, уравнений Пуассона и непрерывности с использованием коммерческого пакета проектирования. Установлено, что выбор типа барьерного слоя позволяет контролировать однородность напряженности электрического поля в структурах. Показано, что наилучшей однородностью напряженности поля обладают структуры $p$–$i$–$p$-типа.