|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Р. А. Кастро, С. Е. Хачатуров, А. А. Кононов, Н. И. Анисимова, “Исследование распределения релаксаторов в тонких слоях аморфного MoTe$_{2}$”, Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1852–1855   |
| 2. |
А. И. Попов, А. Д. Баринов, В. М. Емец, Р. А. Кастро Арта, А. В. Колобов, А. А. Кононов, А. В. Овчаров, Т. С. Чуканова, “Влияние переходных металлов на диэлектрические свойства алмазоподобных кремний-углеродных пленок”, Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1844–1851 |
2
|
| 3. |
А. А. Кононов, Н. А. Никонорова, Р. А. Кастро, “Особенности процессов переноса заряда в нанокомпозитах на основе полифениленоксида с фуллереном и эндофуллереном”, Физика твердого тела, 63:10 (2021), 1706–1710 ; A. A. Kononov, N. A. Nikonorova, R. A. Castro, “Characteristic features of the charge transfer processes in the nanocomposites based on polyphenylene oxide with fullerene and endofullerene”, Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1670–1674 |
1
|
| 4. |
А. Р. Кастро-Арата, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, Н. И. Анисимова, М. Крбал, А. В. Колобов, “Перенос заряда в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.5}$Fe$_{0.5}$S$_{56.5}$”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 450–454 |
|
2020 |
| 5. |
А. А. Кононов, Р. А. Кастро Арата, Д. Д. Главная, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, Ю. Сайто, П. Фонс, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов, “Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS$_{2}$, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 461–465 ; A. A. Kononov, R. A. Castro Arata, D. D. Glavnaya, V. M. Stozharov, D. M. Dolginsev, Yu. Saito, P. Fons, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov, “Polarization processes in thin layers of amorphous MoS$_2$ obtained by RF magnetron sputtering”, Semiconductors, 54:5 (2020), 558–562 |
| 6. |
А. Р. Кастро Арата, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, А. А. Кононов, Ю. Сайто, П. Фонс, Д. Томинага, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов, “Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge–Sb–Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 149–152 ; R. A. Castro-Arata, V. M. Stozharov, D. M. Dolginsev, A. A. Kononov, Yu. Saito, P. Fons, J. Tominaga, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov, “Structural and dielectric study of thin amorphous layers of the Ge–Sb–Te system prepared by RF magnetron sputtering”, Semiconductors, 54:2 (2020), 201–204 |
|
2018 |
| 7. |
Р. А. Кастро, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, “Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1038–1040 ; R. A. Castro, G. I. Grabko, A. A. Kononov, “Low-frequency dielectric relaxation in iron-doped Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ glassy system”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1160–1162 |
1
|
| 8. |
Р. А. Кастро, Н. И. Анисимова, А. А. Кононов, “Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 912–915 ; R. A. Castro, N. I. Anisimova, A. A. Kononov, “Dielectric relaxation in thin layers of the Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ glassy system”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1043–1046 |
4
|
|
Обратная связь: