|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа
Р. А. Кастроa, Г. И. Грабкоb, А. А. Кононовa a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Забайкальский государственный университет, г. Чита
Аннотация:
Приведены результаты исследования процессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$. Введение примеси железа в матрицу стекла приводит к резкому увеличению значения диэлектрической проницаемости $\varepsilon'$ и уменьшению величины диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta$. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках кластерной модели структуры (двухфазной модели) легированного стекла.
Поступила в редакцию: 11.12.2017 Принята в печать: 31.01.2018
Образец цитирования:
Р. А. Кастро, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, “Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1038–1040; Semiconductors, 52:9 (2018), 1160–1162
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5736 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1038
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 15 |
|