Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1038–1040
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46282.8795
(Mi phts5736)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа

Р. А. Кастроa, Г. И. Грабкоb, А. А. Кононовa

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Забайкальский государственный университет, г. Чита
Аннотация: Приведены результаты исследования процессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$. Введение примеси железа в матрицу стекла приводит к резкому увеличению значения диэлектрической проницаемости $\varepsilon'$ и уменьшению величины диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta$. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках кластерной модели структуры (двухфазной модели) легированного стекла.
Поступила в редакцию: 11.12.2017
Принята в печать: 31.01.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1160–1162
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090051
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Кастро, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, “Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1038–1040; Semiconductors, 52:9 (2018), 1160–1162
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CasGraKon18}
\by Р.~А.~Кастро, Г.~И.~Грабко, А.~А.~Кононов
\paper Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1038--1040
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5736}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46282.8795}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903549}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1160--1162
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090051}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5736
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1038
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024