Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$

Представлены результаты исследования процессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$. Выявлено существование недебаевского релаксационного процесса, обусловленного наличием в системе распределения релаксаторов по временам релаксации согласно модели Коула–Коула. Проведен расчет энергетических и структурных параметров: энергии активации – $E_{p}$ = 0.40 эВ, дипольного момента молекул – $\mu$ = 1.08 D. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках модели, согласно которой структура халькогенидных стекол представляет собой набор диполей, образованных заряженными дефектами типа $D^{+}$ и $D^{-}$.