|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
E. I. Girshova, G. Pozina, A. V. Belonovskii, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, V. P. Evtikhiev, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, “Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity”, Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022), 611–612   ; JETP Letters, 115:10 (2022), 574–580 |
1
|
|
2020 |
| 2. |
А. В. Белоновский, Г. Р. Позина, Я. В. Левитский, К. М. Морозов, М. И. Митрофанов, Е. И. Гиршова, К. А. Иванов, С. Н. Родин, В. П. Евтихиев, М. А. Калитеевский, “Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 85–88  ; A. V. Belonovski, G. R. Pozina, Ya. V. Levitskii, K. M. Morozov, M. I. Mitrofanov, E. I. Girshova, K. A. Ivanov, S. N. Rodin, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevskii, “Strong coupling of excitons in hexagonal GaN microcavities”, Semiconductors, 54:1 (2020), 127–130 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
Т. Н. Михайлов, Е. А. Европейцев, К. Г. Беляев, А. А. Торопов, А. В. Родина, А. А. Головатенко, С. В. Иванов, Г. Позина, Т. В. Шубина, “Ферстеровский резонансный перенос энергии с участием светлых и темных экситонов в массивах эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe”, Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1575–1579 ; T. N. Mikhailov, E. A. Evropeitsev, K. G. Belyaev, A. A. Toropov, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, S. V. Ivanov, G. Pozina, T. V. Shubina, “Förster energy transfer in arrays of epitaxial CdSe/ZnSe quantum dots involving bright and dark excitons”, Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1590–1594 |
3
|
| 4. |
Г. Позина, М. А. Калитеевский, Е. В. Никитина, А. Р. Губайдуллин, К. А. Иванов, А. Ю. Егоров, “Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 736–740 ; G. Pozina, M. A. Kaliteevskii, E. V. Nikitina, A. R. Gubaidullin, K. A. Ivanov, A. Yu. Egorov, “Experimental study of spontaneous emission in Bragg multiple- quantum-well structures with InAs single-layer quantum wells”, Semiconductors, 52:7 (2018), 877–880 |
| 5. |
A. R. Gubaidullin, C. Symonds, J. Bellessa, K. A. Ivanov, E. D. Kolykhalova, M. E. Sasin, G. Pozina, M. A. Kaliteevski, “Purcell effect in Tamm plasmon structures with QD emitter”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 467 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 452–457 |
2
|
|
2016 |
| 6. |
А. А. Торопов, Е. А. Шевченко, Т. В. Шубина, В. Н. Жмерик, Д. В. Нечаев, G. Pozina, С. В. Иванов, “Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2180–2185 ; A. A. Toropov, E. A. Shevchenko, T. V. Shubina, V. N. Zhmerik, D. V. Nechaev, G. Pozina, S. V. Ivanov, “AlGaN nanostructures with extremely high quantum yield at 300 K”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2261–2266 |
|
1991 |
| 7. |
А. Н. Старухин, Г. В. Михайлов, А. Г. Панфилов, Г. Р. Позина, Б. С. Разбирин, П. П. Сырников, А. А. Буш, “Ультрафиолетовая фотолюминесценция высокотемпературных сверхпроводников”, Физика твердого тела, 33:3 (1991), 773–780  |
|
Обратная связь: