|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. М. Иванов, “Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности”, ЖТФ, 91:1 (2021), 76–81   ; A. M. Ivanov, “Low-frequency noise in light-emitting diodes based on InGaN/GaN quantum wells under electric actions accompanied with an increase in the external quantum efficiency”, Tech. Phys., 66:1 (2021), 71–76  |
1
|
|
2019 |
| 2. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, Ю. Г. Шретер, “Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 104–110 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, Yu. G. Shreter, “Current noise and efficiency droop of light-emitting diodes in defect-assisted carrier tunneling from an InGaN/GaN quantum well”, Semiconductors, 53:1 (2019), 99–105 |
7
|
|
2016 |
| 3. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 1–8 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1099–1102 |
5
|
|
1987 |
| 4. |
В. С. Мыльников, А. М. Иванов, “Голографические характеристики жидкокристаллического модулятора света
на твист-эффекте с органическим полимерным фотопроводником”, ЖТФ, 57:4 (1987), 729–734  |
| 5. |
А. М. Иванов, В. С. Мыльников, “Пространственно-временно́й модулятор света на основе структуры
фотопроводящий органический полимер–жидкий кристалл с твист-эффектом”, ЖТФ, 57:3 (1987), 598–600 |
|
Обратная связь: